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参数资料
| 型号： | JANJV1N6120 |
| 元件分类： | TVS二极管 - 瞬态电压抑制 |
| 英文描述： | 500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 97K |
| 代理商： | JANJV1N6120 |
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| JANKC2N6212 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 300V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-66 |
| JANKC2N6213 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 350V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-66 |
| JANKCA1N4148 | 制造商:MICROSEMI 制造商全称:Microsemi Corporation 功能描述:PERFORMANCE SPECIFICATION |
| JANKCA1N5550 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:This specification covers the performance requirements for silicon, general purpose, |
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