型号: | JANS1N6311US |
元件分类: | 齐纳二极管 |
英文描述: | 3 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
封装: | HERMETIC SEALED, GLASS, D-5D, 2 PIN |
文件页数: | 1/2页 |
文件大小: | 108K |
代理商: | JANS1N6311US |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
---|---|
JAN1N6312US | 3.3 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
JANS1N6318US | 5.6 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
JANS1N6320US | 6.8 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
JAN1N6313US | 3.6 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
JANTXV1N6315US | 4.3 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
---|---|
JANS1N6312 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:Diode Zener Single 3.3V 5% 500mW 2-Pin DO-35 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:ZENER VOLTAGE REGULATOR DIODE - Waffle Pack |
JANS1N6312CUS | 功能描述:Zener Diode 3.3V 500mW ±2% Through Hole DO-35 制造商:microsemi ire division 系列:军用,MIL-PRF-19500/533 包装:散装 零件状态:在售 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):3.3V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):27 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.4V @ 1A 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向 供应商器件封装:DO-35 标准包装:1 |
JANS1N6312DUS | 功能描述:Zener Diode 3.3V 500mW ±1% Through Hole DO-35 制造商:microsemi ire division 系列:军用,MIL-PRF-19500/533 包装:散装 零件状态:在售 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):3.3V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):27 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.4V @ 1A 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向 供应商器件封装:DO-35 标准包装:1 |
JANS1N6312US | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:Diode Zener Single 3.3V 5% 500mW 2-Pin B-MELF 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:ZENER VOLTAGE REGULATOR DIODE - Waffle Pack |
JANS1N6313 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:Diode Zener Single 3.6V 5% 500mW 2-Pin DO-35 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:ZENER VOLTAGE REGULATOR DIODE - Waffle Pack |