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参数资料
| 型号： | JANS2N4150 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-5 |
| 中文描述： | 晶体管|晶体管|叩| 80V的五（巴西）总裁| 5A条一（c）|至5 |
| 文件页数： | 9/21页 |
| 文件大小： | 137K |
| 代理商： | JANS2N4150 |
MIL-PRF-19500/368F
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NOTES:
1.
The rise time (tr) and fall time (tf) of applied pulse shall be ≤ 20 ns, duty cycle ≤ 2 percent,
generator source impedance shall be 50 ohms, pulse width = 20
s.
2.
Output sampling oscilloscope: ZIN ≥ 100 k, CIN ≤ 50 pF, and rise time ≤ 1.0 s.
FIGURE 5. Pulse response test circuit.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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