型号: | JANTX1N4490 |
元件分类: | 参考电压二极管 |
英文描述: | 110 V, 1.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
封装: | HERMETIC SEALED, G99, 2 PIN |
文件页数: | 1/3页 |
文件大小: | 37K |
代理商: | JANTX1N4490 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
---|---|
JANTX1N4491 | 120 V, 1.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
JANTXV1N4491 | 120 V, 1.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
JAN1N4492 | 130 V, 1.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
JAN1N4488 | 91 V, 1.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
JANTXV1N4496 | 200 V, 1.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
---|---|
JANTX1N4490C | 功能描述:Zener Diode 110V 1.5W ±2% Through Hole DO-41 制造商:microsemi ire division 系列:军用,MIL-PRF-19500/406 包装:散装 零件状态:在售 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):110V 容差:±2% 功率 - 最大值:1.5W 阻抗(最大值)(Zzt):300 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:250nA @ 88V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AL,DO-41,轴向 供应商器件封装:DO-41 标准包装:100 |
JANTX1N4490CUS | 功能描述:Zener Diode 110V 1.5W ±2% Surface Mount D-5A 制造商:microsemi ire division 系列:军用,MIL-PRF-19500/406 包装:散装 零件状态:在售 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):110V 容差:±2% 功率 - 最大值:1.5W 阻抗(最大值)(Zzt):300 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:250nA @ 88V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SQ-MELF,A 供应商器件封装:D-5A 标准包装:100 |
JANTX1N4490D | 功能描述:Zener Diode 110V 1.5W ±1% Through Hole DO-41 制造商:microsemi ire division 系列:军用,MIL-PRF-19500/406 包装:散装 零件状态:在售 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):110V 容差:±1% 功率 - 最大值:1.5W 阻抗(最大值)(Zzt):300 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:250nA @ 88V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AL,DO-41,轴向 供应商器件封装:DO-41 标准包装:100 |
JANTX1N4490DUS | 功能描述:Zener Diode 110V 1.5W ±1% Surface Mount D-5A 制造商:microsemi ire division 系列:军用,MIL-PRF-19500/406 包装:散装 零件状态:在售 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):110V 容差:±1% 功率 - 最大值:1.5W 阻抗(最大值)(Zzt):300 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:250nA @ 88V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SQ-MELF,A 供应商器件封装:D-5A 标准包装:100 |
JANTX1N4490US | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:ZENER SGL 110V 5% 1.5W 2PIN D-5A - Trays |