型号: | JANTX1N6119US |
厂商: | MICROSEMI CORP-SCOTTSDALE |
元件分类: | TVS二极管 - 瞬态电压抑制 |
英文描述: | 500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
封装: | HERMETIC SEALED, GLASS, D-5B, E-MELF-2 |
文件页数: | 4/5页 |
文件大小: | 169K |
代理商: | JANTX1N6119US |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
---|---|
JANTX1N6120US | 500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
JANTX1N6122AUS | 500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
JANTX1N6122US | 500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
JANTX1N6125US | 500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
JANTX1N6127US | 500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
---|---|
JANTX1N6120 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR - Bulk |
JANTX1N6120A | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TVS SGL BI-DIR 9.1V 500W 2PIN E - Bulk |
JANTX1N6120AUS | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TVS SGL BI-DIR 29.7V 500W 2PIN MELF - Trays |
JANTX1N6120US | 功能描述:TVS DIODE 29.7VWM BSQMELF 制造商:microsemi ire division 系列:军用,MIL-PRF-19500/516 包装:散装 零件状态:在售 类型:齐纳 单向通道:- 双向通道:1 电压 - 反向关态(典型值):29.7V 电压 - 击穿(最小值):35.25V 电压 - 箝位(最大值)@ Ipp:56.28V 电流 - 峰值脉冲(10/1000μs):8.84A 功率 - 峰值脉冲:500W 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SQ-MELF,B 供应商器件封装:B,SQ-MELF 标准包装:1 |
JANTX1N6120USE_SQ._MELF | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TVS SGL BI-DIR 29.7V 500W 2PIN E - Trays |