型号: | JANTX1N756C |
厂商: | MICROSEMI CORP-SCOTTSDALE |
元件分类: | 参考电压二极管 |
英文描述: | Low Current Operation at 250??A???Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode(250??A?·¥?????μ?μ?????°????????????μ?μ?????????a?£°???é???o3?o???????) |
中文描述: | 8.2 V, 0.48 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-204AH |
封装: | HERMETIC SEALED, GLASS, DO-35, 2 PIN |
文件页数: | 2/3页 |
文件大小: | 218K |
代理商: | JANTX1N756C |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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JANTX1N756C-1 | 功能描述:Zener Diode 8.2V 500mW ±2% Through Hole DO-35 (DO-204AH) 制造商:microsemi ire division 系列:军用,MIL-PRF-19500/127 包装:散装 零件状态:在售 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):8.2V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):8 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 6V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向 供应商器件封装:DO-35(DO-204AH) 标准包装:1 |
JANTX1N756CUR-1 | 功能描述:Zener Diode 8.2V 500mW ±2% Surface Mount DO-213AA 制造商:microsemi ire division 系列:军用,MIL-PRF-19500/127 包装:散装 零件状态:在售 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):8.2V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):8 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 6V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-213AA(玻璃) 供应商器件封装:DO-213AA 标准包装:1 |
JANTX1N756D-1 | 功能描述:Zener Diode 8.2V 500mW ±1% Through Hole DO-35 (DO-204AH) 制造商:microsemi ire division 系列:军用,MIL-PRF-19500/127 包装:散装 零件状态:在售 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):8.2V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):8 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 6V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向 供应商器件封装:DO-35(DO-204AH) 标准包装:1 |
JANTX1N756DUR-1 | 功能描述:Zener Diode 8.2V 500mW ±1% Surface Mount DO-213AA 制造商:microsemi ire division 系列:军用,MIL-PRF-19500/127 包装:散装 零件状态:在售 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):8.2V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):8 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 6V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-213AA(玻璃) 供应商器件封装:DO-213AA 标准包装:1 |
JANTX1N757A | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:ZENER SGL 9.1V 5% 480MW 2PIN - Bulk |