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参数资料
| 型号： | JANTXV1N3019B-1 |
| 厂商： | MICROSEMI CORP |
| 元件分类： | 齐纳二极管 |
| 英文描述： | 9.1 V, 1 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-41 |
| 文件页数： | 2/2页 |
| 文件大小： | 32K |
| 代理商： | JANTXV1N3019B-1 |
26
1N3016 thru 1N3045B
1000
100
10
1
Z
ZT
,Zener
Impedance
(OHMS)
.1
1.0
10
100
OPERATING CURRENT lZT (mA)
FIGURE 3
ZENER IMPEDANCE VS. OPERATING CURRENT
0
25
50
75
100
125
150
175
TL , Lead temperature (°C), 3/8” from body.
POWER DERATING CURVE
1000
800
600
400
200
0
Pd,
Rated
Power
Dissipation
(mW)
FIGURE 2
RMS value of
60CPS test
current set equal
to 10% of I z
1N3044B
1N3034B
1N3022B
1N3018B
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| JANTXV1N3019C-1 | 功能描述:Zener Diode 9.1V 1W ±2% Through Hole DO-41 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/115 包装:散装 零件状态:在售 电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:9.1V 容差:±2% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:6 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:25μA @ 6.9V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作温度:-55°C ~ 175°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向 供应商器件封装:DO-41 标准包装:1 |
| JANTXV1N3019CUR-1 | 功能描述:Zener Diode 9.1V 1W ±2% Surface Mount DO-213AB (MELF, LL41) 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/115 包装:散装 零件状态:在售 电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:9.1V 容差:±2% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:6 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:25μA @ 6.9V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作温度:-55°C ~ 175°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-213AB，MELF（玻璃） 供应商器件封装:DO-213AB（MELF，LL41） 标准包装:1 |
| JANTXV1N3019D-1 | 功能描述:Zener Diode 9.1V 1W ±1% Through Hole DO-41 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/115 包装:散装 零件状态:在售 电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:9.1V 容差:±1% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:6 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:25μA @ 6.9V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作温度:-55°C ~ 175°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向 供应商器件封装:DO-41 标准包装:1 |
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