参数资料
型号: JANTXV1N3595-1
厂商: MICROSEMI CORP-LAWRENCE
元件分类: 二极管(射频、小信号、开关、功率)
英文描述: 0.15 A, SILICON, SIGNAL DIODE
封装: SIMILAR TO DO-35, 2 PIN
文件页数: 1/3页
文件大小: 121K
代理商: JANTXV1N3595-1
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PDF描述
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相关代理商/技术参数
参数描述
JANTXV1N3595A-1 功能描述:Diode Standard 125V 150mA Through Hole DO-35 制造商:microsemi ire division 系列:军用,MIL-PRF-19500/241 包装:散装 零件状态:在售 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):125V 电流 - 平均整流(Io):150mA 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):920mV @ 100mA 速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):3μs 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:2nA @ 125V 不同?Vr,F 时的电容:- 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向 供应商器件封装:DO-35 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:1
JANTXV1N3595AUR-1 功能描述:Diode Standard 125V 150mA Surface Mount DO-213AA 制造商:microsemi ire division 系列:军用,MIL-PRF-19500/241 包装:散装 零件状态:在售 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):125V 电流 - 平均整流(Io):150mA 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):920mV @ 100mA 速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):3μs 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:2nA @ 125V 不同?Vr,F 时的电容:- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-213AA 供应商器件封装:DO-213AA 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:1
JANTXV1N3595AUS 功能描述:Diode Standard 125V 150mA Surface Mount DO-213AA 制造商:microsemi ire division 系列:军用,MIL-PRF-19500/241 包装:散装 零件状态:在售 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):125V 电流 - 平均整流(Io):150mA 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):920mV @ 100mA 速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):3μs 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:2nA @ 125V 不同?Vr,F 时的电容:- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-213AA 供应商器件封装:DO-213AA 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:1
JANTXV1N3595UR-1 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:Diode Switching 125V 0.15A 2-Pin DO-213AA 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:STD RECOVERY RECTFR 125V 0.15A 2PIN DO-213AA - Trays
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