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参数资料
| 型号： | JANTXV1N4100C-1 |
| 厂商： | MICROSEMI CORP-SCOTTSDALE |
| 元件分类： | 齐纳二极管 |
| 英文描述： | 7.5 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35 |
| 封装： | DO-7, 2 PIN |
| 文件页数： | 3/3页 |
| 文件大小： | 412K |
| 代理商： | JANTXV1N4100C-1 |
500 mW GLASS AXIAL-LEAD LOW NOISE
ZENER DIODES
Microsemi
Scottsdale Division
8700 E. Thomas Rd. PO Box 1390, Scottsdale, AZ 85252 USA, (480) 941-6300, Fax: (480) 947-1503
Page 3
Copyright
2003
11-05-2003 REV C
W
.Mi
cr
os
em
i
.C
O
M
SCOTTSD A L E DIVISION
1N4099 thru 1N4135-1 and
1N4614 thru 1N4627-1 DO-7
1N
40
99
–
1N
41
35
-1
&
1N
46
14
–
1N
46
27
-1
(D
O
-7
)
41
35
-1
&
1N
46
14
–
1N
46
27
-1
(D
O
-7
)
OUTLINE AND CIRCUIT
Noise density, (ND) is specified in microvolt-rms per squre-
root-hertz. Actual measurement is performed using a 1 kHz
to 3 kHz frequency bandpass filter at a constant Zener test
current (IZT) AT 25
oC ambient temperature. ND is calculated
from the formula.
Pd,
Max
imum
Po
w
e
rDissipation
(mW
)
FIGURE 1
TL – Lead Temperature (
oC) 3/8” from body
Noise Density Measurement Circuit
or TA on FR4 PC Board
FIGURE 2 – Power Derating Curve
FIGURE 3
CAPACITANCE vs. ZENER VOLTAGE
(TYPICAL)
PACKAGE DIMENSIONS
All dimensions in: INCH
mm
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| JANTXV1N4100DUR-1 | 功能描述:Zener Diode 7.5V 500mW ±1% Surface Mount DO-213AA 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/435 包装:散装 零件状态:在售 电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:7.5V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:200 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 5.7V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-213AA（玻璃） 供应商器件封装:DO-213AA 标准包装:1 |
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