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参数资料
| 型号： | JANTXV1N4101 |
| 元件分类： | 齐纳二极管 |
| 英文描述： | 8.2 V, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| 封装： | GLASS PACKAGE-2 |
| 文件页数： | 1/1页 |
| 文件大小： | 55K |
| 代理商： | JANTXV1N4101 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| JANTXV1N4101C-1 | 功能描述:Zener Diode 8.2V 500mW ±2% Through Hole DO-35 (DO-204AH) 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/435 包装:散装 零件状态:在售 电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:8.2V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:200 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 6.3V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向 供应商器件封装:DO-35（DO-204AH） 标准包装:1 |
| JANTXV1N4101CUR-1 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:ZENER SGL 8.2V 2% 500MW 2PIN DO-213AA - Trays |
| JANTXV1N4101D-1 | 功能描述:Zener Diode 8.2V 500mW ±1% Through Hole DO-35 (DO-204AH) 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/435 包装:散装 零件状态:在售 电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:8.2V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:200 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 6.3V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向 供应商器件封装:DO-35（DO-204AH） 标准包装:1 |
| JANTXV1N4101DUR-1 | 功能描述:Zener Diode 8.2V 500mW ±1% Surface Mount DO-213AA 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/435 包装:散装 零件状态:在售 电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:8.2V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:200 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 6.3V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-213AA（玻璃） 供应商器件封装:DO-213AA 标准包装:1 |
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