参数资料
型号: JANTXV1N4112-1C
厂商: MICROSEMI CORP-SCOTTSDALE
元件分类: 齐纳二极管
英文描述: 18 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35
封装: HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2
文件页数: 1/2页
文件大小: 86K
代理商: JANTXV1N4112-1C
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PDF描述
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参数描述
JANTXV1N4112C-1 功能描述:Zener Diode 18V 500mW ±2% Through Hole DO-35 (DO-204AH) 制造商:microsemi ire division 系列:军用,MIL-PRF-19500/435 包装:散装 零件状态:在售 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):18V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):100 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:50nA @ 13.7V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向 供应商器件封装:DO-35(DO-204AH) 标准包装:1
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JANTXV1N4112CUR-1 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:Diode Zener Single 18V 2% 500mW 2-Pin DO-213AA
JANTXV1N4112D-1 功能描述:Zener Diode 18V 500mW ±1% Through Hole DO-35 (DO-204AH) 制造商:microsemi ire division 系列:军用,MIL-PRF-19500/435 包装:散装 零件状态:在售 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):18V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):100 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:50nA @ 13.7V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向 供应商器件封装:DO-35(DO-204AH) 标准包装:1
JANTXV1N4112DUR-1 功能描述:Zener Diode 18V 500mW ±1% Surface Mount DO-213AA 制造商:microsemi ire division 系列:军用,MIL-PRF-19500/435 包装:散装 零件状态:在售 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):18V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):100 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:50nA @ 13.7V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-213AA(玻璃) 供应商器件封装:DO-213AA 标准包装:1