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参数资料
| 型号： | JANTXV1N5441B |
| 元件分类： | 变容二极管 |
| 英文描述： | 6.8 pF, 30 V, SILICON, ABRUPT VARIABLE CAPACITANCE DIODE, DO-7 |
| 文件页数： | 1/1页 |
| 文件大小： | 44K |
| 代理商： | JANTXV1N5441B |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| JANTX1N5443C | 10 pF, 30 V, SILICON, ABRUPT VARIABLE CAPACITANCE DIODE, DO-7 |
| JANTXV1N5449B | 27 pF, 30 V, SILICON, ABRUPT VARIABLE CAPACITANCE DIODE, DO-7 |
| JANTXV1N5453B | 56 pF, 30 V, SILICON, ABRUPT VARIABLE CAPACITANCE DIODE, DO-7 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| JANTXV1N5518B | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:ZENER SGL 3.3V 5% 417MW - Bulk |
| JANTXV1N5518B-1 | 制造商:Aeroflex / Metelics 功能描述:LOW VOLTAGE AVALANCHE ZENER - Bulk 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:ZENER SGL 3.3V 5% 417MW 2PIN DO-204AA - Bulk |
| JANTXV1N5518BUR-1 | 制造商:Aeroflex / Metelics 功能描述:LOW VOLTAGE AVALANCHE ZENER - Bulk 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:ZENER SGL 3.3V 5% 500MW 2PIN DO-213AA - Trays |
| JANTXV1N5518C-1 | 功能描述:Zener Diode 3.3V 500mW ±2% Through Hole DO-35 (DO-204AH) 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/437 包装:散装 零件状态:在售 电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:3.3V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:26 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向 供应商器件封装:DO-35（DO-204AH） 标准包装:1 |
| JANTXV1N5518CUR-1 | 功能描述:Zener Diode 3.3V 500mW ±2% Surface Mount DO-213AA 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/437 包装:散装 零件状态:在售 电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:3.3V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:26 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-213AA（玻璃） 供应商器件封装:DO-213AA 标准包装:1 |
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