- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录79632 > JANTXV1N5525BURTR (MICROSEMI CORP-SCOTTSDALE) 6.2 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-213AA PDF资料下载
参数资料
| 型号： | JANTXV1N5525BURTR |
| 厂商： | MICROSEMI CORP-SCOTTSDALE |
| 元件分类： | 齐纳二极管 |
| 英文描述： | 6.2 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-213AA |
| 封装： | HERMETIC SEALED, GLASS, MLL34, MELF-2 |
| 文件页数： | 3/3页 |
| 文件大小： | 182K |
| 代理商： | JANTXV1N5525BURTR |
Low Voltage Surface Mount
500 mW Avalanche Diodes
Microsemi
Scottsdale Division
8700 E. Thomas Rd. PO Box 1390, Scottsdale, AZ 85252 USA, (480) 941-6300, Fax: (480) 947-1503
Page 3
Copyright
2003
10-31-2003 REV B
W
.Mi
cr
os
em
i
.C
O
M
SCOTTSD A L E DIVISION
IN5518BUR-1 thru 1N5546BUR-1
(or MLL5518B-1 thru MLL5546B-1)
1N5
518
BUR
–
1N5
546
BUR
GRAPHS and CIRCUIT
Noise density, (ND) is specified in
microvolt-rms per square-root-hertz.
Actual measurement is performed
using a 1 kHz to 3 kHz frequency
bandpass filter at a constant Zener test
current (IZT) at 25
oC ambient
temperature.
P
dRated
Po
wer
Dissipation
(m
W
)
FIGURE 1 Noise Density
Measurement Circuit
TEC
TA
TEC, End Cap Temperature (
oC) or TA
Ambient temperature on FR4 PC board
FIGURE 2 Power Derating Curve
T
ypical
Capacita
nce
in
Picofarads
(pf)
Zener Voltage VZ
FIGURE 4
FIGURE 3 Capacitance vs. Zener Voltage (Typical)
Zener Diode Characteristics and Symbol Identification
PACKAGE DIMENSIONS
INCHES
MILLIMETERS
DIM
MIN
MAX
MIN
MAX
A
0.063
0.067
1.60
1.70
B
0.130
0.146
3.30
3.70
C
0.016
0.022
0.41
0.55
PAD LAYOUT
INCHES
mm
A
.200
5.08
B
.055
1.40
C
.080
2.03
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| JAN6157AUS | BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| JANTX6151AUS | BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| JANTXV6140AUS | BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| JANTX1N6172AUS | 1500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| JANTXV1N6109AUS | 500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| JANTXV1N5525C-1 | 功能描述:Zener Diode 6.2V 500mW ±2% Through Hole DO-35 (DO-204AH) 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/437 包装:散装 零件状态:在售 电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:6.2V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:30 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 5V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向 供应商器件封装:DO-35（DO-204AH） 标准包装:1 |
| JANTXV1N5525CUR-1 | 功能描述:Zener Diode 6.2V 500mW ±2% Surface Mount DO-213AA 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/437 包装:散装 零件状态:在售 电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:6.2V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:30 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 5V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-213AA（玻璃） 供应商器件封装:DO-213AA 标准包装:1 |
| JANTXV1N5525D-1 | 功能描述:Zener Diode 6.2V 500mW ±1% Through Hole DO-35 (DO-204AH) 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/437 包装:散装 零件状态:在售 电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:6.2V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:30 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 5V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向 供应商器件封装:DO-35（DO-204AH） 标准包装:1 |
| JANTXV1N5525DUR-1 | 功能描述:Zener Diode 6.2V 500mW ±1% Surface Mount DO-213AA 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/437 包装:散装 零件状态:在售 电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:6.2V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:30 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 5V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-213AA（玻璃） 供应商器件封装:DO-213AA 标准包装:1 |
| JANTXV1N5526B-1 | 制造商:Aeroflex / Metelics 功能描述:LOW VOLTAGE AVALANCHE ZENER - Bulk 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:ZENER SGL 6.8V 5% 417MW 2PIN DO-204AA - Bulk |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。