参数资料
型号: JANTXV1N5531BUR-1
元件分类: 参考电压二极管
英文描述: 11 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-213AA
封装: DO-213AA, 2 PIN
文件页数: 2/2页
文件大小: 94K
代理商: JANTXV1N5531BUR-1
CDLL5518 thru CDLL5546D
.1
.2
.5
1
2
5
10
20
50
100
OPERATING CURRENT IZT (mA)
FIGURE 3
ZENER IMPEDANCE VS. OPERATING CURRENT
ZENER
IMPEDANCE
Z
ZT
(OHMS)
1000
500
400
300
200
100
50
40
30
20
10
5
4
3
2
1
28 VOLT
6.8 VOLT
11 VOLT
0
25
50
75
100
125
150
175
TEC , End cap temperature (C°)
POWER DERATING CURVE
500
400
300
200
100
0
Pd,
Rated
Power
Dissipation
(mW)
FIGURE 2
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PDF描述
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参数描述
JANTXV1N5531C-1 功能描述:Zener Diode 11V 500mW ±2% Through Hole DO-35 (DO-204AH) 制造商:microsemi ire division 系列:军用,MIL-PRF-19500/437 包装:散装 零件状态:在售 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):11V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):80 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:50nA @ 9.9V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向 供应商器件封装:DO-35(DO-204AH) 标准包装:1
JANTXV1N5531CUR-1 功能描述:Zener Diode 11V 500mW ±2% Surface Mount DO-213AA 制造商:microsemi ire division 系列:军用,MIL-PRF-19500/437 包装:散装 零件状态:在售 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):11V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):80 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:50nA @ 9.9V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-213AA(玻璃) 供应商器件封装:DO-213AA 标准包装:1
JANTXV1N5531D-1 功能描述:Zener Diode 11V 500mW ±1% Through Hole DO-35 (DO-204AH) 制造商:microsemi ire division 系列:军用,MIL-PRF-19500/437 包装:散装 零件状态:在售 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):11V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):80 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:50nA @ 9.9V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向 供应商器件封装:DO-35(DO-204AH) 标准包装:1
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