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参数资料
| 型号： | JANTXV1N5546CUR-1 |
| 元件分类： | 齐纳二极管 |
| 英文描述： | 33 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-213AA |
| 封装： | DO-213AA, 2 PIN |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 394K |
| 代理商： | JANTXV1N5546CUR-1 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| JAN1N5518CUR-1 | 3.3 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-213AA |
| JANTX1N5540DUR-1 | 20 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-213AA |
| JAN1N5520CUR-1 | 3.9 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-213AA |
| JANTXV1N5540CUR-1 | 20 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-213AA |
| JANTX1N5533DUR-1 | 13 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-213AA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| JANTXV1N5546D-1 | 功能描述:Zener Diode 33V 500mW ±1% Through Hole DO-35 (DO-204AH) 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/437 包装:散装 零件状态:在售 电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:33V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:100 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10nA @ 29.7V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向 供应商器件封装:DO-35（DO-204AH） 标准包装:1 |
| JANTXV1N5546DUR-1 | 功能描述:Zener Diode 33V 500mW ±1% Surface Mount DO-213AA 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/437 包装:散装 零件状态:在售 电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:33V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:100 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10nA @ 29.7V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-213AA（玻璃） 供应商器件封装:DO-213AA 标准包装:1 |
| JANTXV1N5550 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:STANDARD RECTIFIER (TRR MORE THAN 500NS) (REC) - Bulk |
| JANTXV1N5550US | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:STANDARD RECTIFIER (TRR MORE THAN 500NS) (REC) - Trays |
| JANTXV1N5551 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:Diode Switching 400V 5A 2-Pin Case E 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:STANDARD RECTIFIER (TRR MORE THAN 500NS) (REC) - Bulk |
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