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参数资料
| 型号： | JANTXV1N6072A |
| 元件分类： | TVS二极管 - 瞬态电压抑制 |
| 英文描述： | 1500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-13 |
| 封装： | DO-13, 2 PIN |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 111K |
| 代理商： | JANTXV1N6072A |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| JAN1N3600UR | 0.3 A, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-213AA |
| JAN1N6643U | 0.1 A, 50 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
| JANTX1N4150UR | 0.3 A, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-213AA |
| JANTX1N6638U | 0.2 A, 125 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
| JANTX1N6639U | 0.5 A, 75 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| JANTXV1N6073 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述: |
| JANTXV1N6074 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:ULTRA FAST RECOVERY RECTFR 100V 3A 2PIN A - Bulk |
| JANTXV1N6075 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:ULTRA FAST RECTIFIER (LESS THAN 100NS) (UFR) - Bulk |
| JANTXV1N6076 | 功能描述:Diode Standard 50V 1.3A Through Hole E-PAK 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/503 包装:散装 零件状态:在售 二极管类型:标准 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:50V 电流 - 平均整流（Io）:1.3A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.76V @ 18.8A 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:30ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 50V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔 封装/外壳:E，轴向 供应商器件封装:E-PAK 工作温度 - 结:-65°C ~ 155°C 标准包装:1 |
| JANTXV1N6077 | 功能描述:Diode Standard 100V 1.3A Through Hole E-PAK 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/503 包装:散装 零件状态:在售 二极管类型:标准 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（Io）:1.3A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.76V @ 18.8A 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:30ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 100V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔 封装/外壳:E，轴向 供应商器件封装:E-PAK 工作温度 - 结:-65°C ~ 155°C 标准包装:1 |
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