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参数资料
型号： JANTXV1N6137US
厂商： MICROSEMI CORP
元件分类： TVS二极管 - 瞬态电压抑制
英文描述： 500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE
封装： MELF-2
文件页数： 1/1页
文件大小： 137K
代理商： JANTXV1N6137US
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PDF描述
JAN1N6137US 500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE
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参数描述
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JANTXV1N6138US 功能描述:TVS DIODE 5.2VWM 11.03VC 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/516 包装:散装 零件状态:在售 类型:齐纳 单向通道:- 双向通道:1 电压 - 反向关态（典型值）:5.2V 电压 - 击穿（最小值）:6.14V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:11.03V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:135.66A 功率 - 峰值脉冲:1500W（1.5kW） 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SQ-MELF，C 供应商器件封装:C，SQ-MELF 标准包装:1
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