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参数资料
| 型号： | JANTXV1N7069T1 |
| 元件分类： | 整流器 |
| 英文描述： | 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-254AA |
| 封装： | HERMETIC SEALED PACKAGE-3 |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 105K |
| 代理商： | JANTXV1N7069T1 |
2
www.irf.com
35GQ100, 1N7069T1
Part number
1N7069T1
VR
Max. DC Reverse Voltage (V)
VRWM Max. Working Peak Reverse Voltage (V)
Voltage Ratings
100
Parameters
Limits
Units
Conditions
IF(AV) Max. Average Forward Current
35
A
50% duty cycle @ TC = 81°C, square waveform
See Fig. 5
IFSM Max. Peak One Cycle Non - Repetitive
270
A
@ tp = 8.3 ms half-sine
Surge Current
Absolute Maximum Ratings
Pulse Width < 300s, Duty Cycle < 2%
Parameters
Limits Units
Conditions
TJ
Max.Junction Temperature Range
-65 to 150
°C
Tstg
Max. Storage Temperature Range
-65 to 150
°C
RthJC Max. Thermal Resistance, Junction
1.1
°C/W
DC operation
See Fig. 4
to Case
wt
Weight (Typical)
9.3
g
Die Size (Typical)
200X200
mils
Case Style
TO-254AA
Thermal-Mechanical Specifications
Parameters
Limits Units
Conditions
VFM
Max. Forward Voltage Drop
1.0
V
@ 35A
TJ= -55°C
See Fig. 1
1.42
V
@ 70A
1.05
V
@ 35A
TJ = 25°C
1.52
V
@ 70A
1.0
V
@ 35A
TJ = 125°C
1.47
V
@ 70A
IRM
Max. Reverse Leakage Current
0.036
mA
TJ = 25°C
See Fig. 2
7.5
mA
TJ = 100°C
VR = rated VR
28
mA
TJ = 125°C
CT
Max. Junction Capacitance
1375
pF
VR = 5VDC ( 1MHz, 25°C )
L S
Typical Series Inductance
7.8
nH
Measured from anode lead to cathode lead
Electrical Specifications
6mm ( 0.025 in.) from package
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PDF描述 |
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