参数资料
型号: JANTXV1N750AUR-1
元件分类: 齐纳二极管
英文描述: 4.7 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
封装: GLASS, LL34/35, MINIMELF-2
文件页数: 1/1页
文件大小: 56K
代理商: JANTXV1N750AUR-1
相关PDF资料
PDF描述
JAN1N751UR-1 5.1 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
JANTX1N758AUR-1 10 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
JANTX1N753AUR-1 6.2 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
JAN1N752AUR-1 5.6 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
JAN1N758UR-1 10 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
相关代理商/技术参数
参数描述
JANTXV1N750C-1 功能描述:Zener Diode 4.7V 500mW ±2% Through Hole DO-35 制造商:microsemi ire division 系列:军用,MIL-PRF-19500/127 包装:散装 零件状态:在售 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):4.7V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):19 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 1.5V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向 供应商器件封装:DO-35 标准包装:1
JANTXV1N750CUR-1 功能描述:Zener Diode 4.7V 500mW ±2% Surface Mount DO-213AA 制造商:microsemi ire division 系列:军用,MIL-PRF-19500/127 包装:散装 零件状态:在售 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):4.7V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):19 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 1.5V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-213AA(玻璃) 供应商器件封装:DO-213AA 标准包装:1
JANTXV1N750D-1 功能描述:Zener Diode 4.7V 500mW ±1% Through Hole DO-35 制造商:microsemi ire division 系列:军用,MIL-PRF-19500/127 包装:散装 零件状态:在售 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):4.7V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):19 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 1.5V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向 供应商器件封装:DO-35 标准包装:1
JANTXV1N750DUR-1 功能描述:Zener Diode 4.7V 500mW ±1% Surface Mount DO-213AA 制造商:microsemi ire division 系列:军用,MIL-PRF-19500/127 包装:散装 零件状态:在售 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):4.7V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):19 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 1.5V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-213AA(玻璃) 供应商器件封装:DO-213AA 标准包装:1
JANTXV1N751A 制造商:undefined 功能描述: