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参数资料
| 型号： | K1200E70 |
| 元件分类： | 晶闸管 |
| 英文描述： | 125 V, SIDAC, TO-92 |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TO-92, 3 PIN |
| 文件页数： | 6/12页 |
| 文件大小： | 345K |
| 代理商： | K1200E70 |
315
Revised:December21,2010 02:40PM
2010 Littelfuse, Inc
Teccor brand Thyristors
Specications are subject to change without notice.
Please refer to http://www.littelfuse.com for current information.
Standard Bidirectional SIDACs
Kxxxzy Series
Figure 1: V-I Characteristics
-V
+I
VDRM
+V
VS
IS
IH
RS
IDRM
IBO
VBO
VT
IT
(IS -IBO)
(VBO -VS)
RS =
-I
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
0.6
1.0
1.4
1.8
2.2
2.6
3.0
3.4
3.8
Instantaneous On-state Voltage (v
T) – Volts
n
stantaneous
On-stat
e
Cur
rent
(i
T
)–
Amps
Kxxx2G
Kxxx0G
Kxxx0E
Kxxx0S
T
J = 25°C
Figure 2: On-state Current vs. On-state
Voltage (Typical)
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
2.2
2.4
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
CURRENT WAVEFORM: Sinusoidal
LOAD: Resistive or Inductive
CONDUCTION ANGLE:
See Basic SIDAC Circuit in Figure 12
Kxxx2G
Kxxx0G
Kxxx0E
Kxxx0S
RMS On-State Current [I
T(RMS)] - Amps
A
v
e
ra
g
e
O
n
-S
ta
te
P
o
w
e
rD
is
s
ip
a
ti
o
n
[P
D(
A
V
)
]-
W
a
tt
s
Figure 3: Power Dissipation vs. On-state Current
(Typical)
Pulse Base Width (t
O) - us
Repetitiv
e
P
eak
On-Stat
e
Cur
rent
(I
TRM
)-
Amps
1
10
100
1000
1.0
10.0
100.0
1000.0
5 Hz
60 Hz
5 kHz
120 Hz
1 kHz
di/dt Limit Line
I
TM
t
O
1/f
Figure 4: Repetitive Peak On-state Current (I
TRM)
vs. Pulse Width at Various Frequencies
1
10
100
1
10
100
1000
Surge Current Duration -- Full Cycles
P
eak
Sur
g
e
(Non-r
epetitiv
e)
On-stat
e
Cur
rent
(I
TSM
)–
Amps
SUPPLY FREQUENCY: 60 Hz Sinusoidal
LOAD: Resistive
RMS ON-STATE CURRENT: I
T
RMS Maximum Rated
Value at Specied Junction Temperature
Notes:
1) Blocking capability may be lost during
and immediately following surge
current interval.
2) Overload may not be repeated until
junction temperature has returned
to steady-state rated value.
Figure 5: Peak Non-repetitive Surge Current (I
TSM)
vs. Number of Cycles
Figure 6: Normalized V
BO Change vs. Junction
Temperature
-12%
-10%
-8%
-6%
-4%
-2%
0%
2%
4%
-40
-20
0
20
40
60
80
100
120
140
K2xx0E
K2xx0G
K2xx0S
Kxxx2G
K1xx0E
K1xx0G
K1xx0S
V
BO
Chang
e
--
%
Junction Temperature (T
J) -- °C
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K1200GRP | 125 V, SIDAC, DO-15 |
| K1200G | 125 V, SIDAC, DO-15 |
| K1200SRP | 125 V, SIDAC, DO-214 |
| K1300E70AP | 138 V, SIDAC, TO-92 |
| K1300E70 | 138 V, SIDAC, TO-92 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| K1200E70_ | 功能描述:硅对称二端开关元件 USE 576-K1200E70 RoHS:否 制造商:Bourns 转折电流 VBO:40 V 最大转折电流 IBO:800 mA 不重复通态电流: 额定重复关闭状态电压 VDRM:25 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）: 保持电流（Ih 最大值）:50 mA 开启状态电压:5 V 关闭状态电容 CO:120 pF 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AA |
| K1200E70AP | 功能描述:SIDAC 120V 1A TO-92 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> 二端交流开关元件，硅对称二端开关元件 系列:- 产品变化通告:Product Obsolescence 14/Apr/2010 标准包装:5,000 系列:- 电流 - 峰值输出:900mA 电压 - 击穿:150 ~ 170V 电流 - 维持(Ih):100mA 电流 - 击穿:200µA 封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向 供应商设备封装:轴向 包装:带卷 (TR) |
| K1200E70RP | 功能描述:SIDAC 110-125 V T&R RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 二端交流开关元件，硅对称二端开关元件 系列:- 产品变化通告:Product Obsolescence 14/Apr/2010 标准包装:5,000 系列:- 电流 - 峰值输出:900mA 电压 - 击穿:150 ~ 170V 电流 - 维持(Ih):100mA 电流 - 击穿:200µA 封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向 供应商设备封装:轴向 包装:带卷 (TR) |
| K1200E70RP2 | 功能描述:SIDAC 120V 1A TO-92 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> 二端交流开关元件，硅对称二端开关元件 系列:- 产品变化通告:Product Obsolescence 14/Apr/2010 标准包装:5,000 系列:- 电流 - 峰值输出:900mA 电压 - 击穿:150 ~ 170V 电流 - 维持(Ih):100mA 电流 - 击穿:200µA 封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向 供应商设备封装:轴向 包装:带卷 (TR) |
| K1200G | 功能描述:硅对称二端开关元件 120V RoHS:否 制造商:Bourns 转折电流 VBO:40 V 最大转折电流 IBO:800 mA 不重复通态电流: 额定重复关闭状态电压 VDRM:25 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）: 保持电流（Ih 最大值）:50 mA 开启状态电压:5 V 关闭状态电容 CO:120 pF 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AA |
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