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参数资料
| 型号： | K2000E70 |
| 元件分类： | 晶闸管 |
| 英文描述： | 215 V, SIDAC, TO-92 |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TO-92, 3 PIN |
| 文件页数： | 7/12页 |
| 文件大小： | 345K |
| 代理商： | K2000E70 |
316
Revised:December21,2010 02:40PM
2010 Littelfuse, Inc
Teccor brand Thyristors
Specications are subject to change without notice.
Please refer to http://www.littelfuse.com for current information.
Standard Bidirectional SIDACs
Kxxxzy Series
Figure 7: Normalized DC Holding Current
vs. Junction Temperature
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
-40
-15
10
35
60
85
110
Junction Temperature (T
J) -- °C
Ratio
of
I
H
/
I
H
(T
J
=
2
5
°C)
125
80
90
100
110
120
130
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.01.2
CURRENT WAVEFORM: Sinusoidal - 60Hz
LOAD: Resistive or Inductive
Kxxx0G
Kxxx0S
Kxxx0E
Kxxx2G
RMS On-State Current [I
T(RMS)] - Amps
Maximum
Allo
w
able
Lead/Case
T
emper
at
ur
e
(T
C
)-
°C
Figure 8: Maximum Allowable Case Temperature
vs. RMS On-State Current
20
40
60
80
100
120
140
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
CURRENT WAVEFORM: Sinusoidal - 60Hz
LOAD: Resistive or Inductive
FREE AIR RATING
Kxxx0G
Kxxx0S
Kxxx0E
Kxxx2G
Maximum
Allo
w
able
Ambient
Temper
at
ur
e
(T
A
)-
°C
RMS On-State Current [I
T(RMS)] - Amps
25
Figure 9: Maximum Allowable Ambient Temperature vs.
RMS On-State Current
1
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
110
120
130
Repetitiv
e
P
e
ak
Br
eak
o
v
er
Cur
rent
(I
BO
)Multiplier
Junction Temperature (T
J) -- °C
Figure 10: Normalized Repetitive Peak Breakover
Current (I
BO) vs. Junction Temperature
100-250 V ac
60 Hz
Scope
Push to test
S1
Switch to test
in each direction
100 Ω
1%
Device
Under
Test
S1
Scope Indication
Trace Stops
IH
IPK
Figure 11: Dynamic Holding Current Test Circuit for
SIDACs
Figure 12: Basic SIDAC Circuit
Load
100-250 Vac
60 Hz
IH
VBO
120-145
Conduction
Angle
IH
Load Current
VBO
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K1100E70AP | 118 V, SIDAC, TO-92 |
| K1100E70 | 118 V, SIDAC, TO-92 |
| K1100GRP | 118 V, SIDAC, DO-15 |
| K1100G | 118 V, SIDAC, DO-15 |
| K1100SRP | 118 V, SIDAC, DO-214 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| K2000E70AP | 功能描述:SIDAC 200V 1A TO-92 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> 二端交流开关元件，硅对称二端开关元件 系列:- 产品变化通告:Product Obsolescence 14/Apr/2010 标准包装:5,000 系列:- 电流 - 峰值输出:900mA 电压 - 击穿:150 ~ 170V 电流 - 维持(Ih):100mA 电流 - 击穿:200µA 封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向 供应商设备封装:轴向 包装:带卷 (TR) |
| K2000E70RP2 | 功能描述:SIDAC 200V 1A TO-92 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> 二端交流开关元件，硅对称二端开关元件 系列:- 产品变化通告:Product Obsolescence 14/Apr/2010 标准包装:5,000 系列:- 电流 - 峰值输出:900mA 电压 - 击穿:150 ~ 170V 电流 - 维持(Ih):100mA 电流 - 击穿:200µA 封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向 供应商设备封装:轴向 包装:带卷 (TR) |
| K2000E70RP3 | 功能描述:SIDAC 200V 1A TO-92 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> 二端交流开关元件，硅对称二端开关元件 系列:- 产品变化通告:Product Obsolescence 14/Apr/2010 标准包装:5,000 系列:- 电流 - 峰值输出:900mA 电压 - 击穿:150 ~ 170V 电流 - 维持(Ih):100mA 电流 - 击穿:200µA 封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向 供应商设备封装:轴向 包装:带卷 (TR) |
| K2000EH70 | 功能描述:硅对称二端开关元件 Sidac 200V HI ENERGY RoHS:否 制造商:Bourns 转折电流 VBO:40 V 最大转折电流 IBO:800 mA 不重复通态电流: 额定重复关闭状态电压 VDRM:25 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）: 保持电流（Ih 最大值）:50 mA 开启状态电压:5 V 关闭状态电容 CO:120 pF 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AA |
| K2000EH70AP | 功能描述:硅对称二端开关元件 Sidac 200V HI ENERGY RoHS:否 制造商:Bourns 转折电流 VBO:40 V 最大转折电流 IBO:800 mA 不重复通态电流: 额定重复关闭状态电压 VDRM:25 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）: 保持电流（Ih 最大值）:50 mA 开启状态电压:5 V 关闭状态电容 CO:120 pF 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AA |
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