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参数资料
| 型号： | KA5Q0565RTYDTU |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SWIT PWM CM OVP OCP HV TO220 |
| 产品变化通告： | Product Discontinuation 27/Feb/2012 |
| 标准包装： | 400 |
| 频率范围： | 18kHz ~ 22kHz |
| 输入电压： | 9 V ~ 30 V |
| 输出电压： | 650V |
| 功率（瓦特）： | 38W |
| 工作温度： | 25°C ~ 160°C |
| 封装/外壳： | TO-220-5 全封装（成形引线） |
| 供应商设备封装： | TO-220F-5L（成形） |
| 包装： | 管件 |
KA5Q0565RT
Electrical Characteristics (SFET Part)
(Ta=25 ° C unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Condition
Min.
Typ. Max.
Unit
Drain-Source Breakdown Voltage
Zero Gate Voltage Drain Current
Static Drain-source on Resistance (Note)
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Turn on Delay Time
Rise Time
Turn Off Delay Time
Fall Time
Total Gate Charge
(Gate-Source+Gate-Drain)
Gate-Source Charge
Gate-Drain (Miller) Charge
BV DSS
I DSS
R DS(ON)
Ciss
Coss
Crss
td(on)
tr
td(off)
tf
Qg
Qgs
Qgd
V GS = 0V, I D = 50 μ A
V DS = Max, Rating, V GS = 0V
V DS = 0.8*Max., Rating
V GS = 0V, T C = 85 ° C
V GS = 10V, I D = 2.3A
V GS = 0V, V DS = 25V,
f = 1MHz
V DD = 0.5BV DSS , I D = 7.0A
(MOSFET switching
time are essentially
independent of operating
temperature)
V GS = 10V, I D = 7.0A,
V DS = 0.5B V DSS (MOSFET
Switching time are Essentially
independent of operating
temperature)
650
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
1.8
780
90
40
15
45
60
40
43
4.0
7.3
-
200
300
2.2
-
-
-
40
100
130
90
55
-
-
V
μ A
μ A
?
pF
nS
nC
Note:
1. Pulse test : Pulse width ≤ 300 μ S, duty ≤ 2%
3
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
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