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参数资料
| 型号： | KMM332V410AT-L8 |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 4M X 32 FAST PAGE DRAM MODULE, 80 ns, DMA72 |
| 封装： | DIMM-72 |
| 文件页数： | 1/6页 |
| 文件大小： | 193K |
| 代理商： | KMM332V410AT-L8 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KMM372V410AS-6 | 4M X 72 FAST PAGE DRAM MODULE, 60 ns, DMA168 |
| KMM5321200WG-7 | 1M X 32 FAST PAGE DRAM MODULE, 70 ns, SMA72 |
| KMM5322104BKUG-7 | 2M X 32 EDO DRAM MODULE, 70 ns, SMA72 |
| KMM5324100AV-7 | 4M X 32 FAST PAGE DRAM MODULE, 70 ns, SMA72 |
| KMM5816000AT-8 | 16M X 8 FAST PAGE DRAM MODULE, 80 ns, SMA30 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| KMM34 | 制造商:TYSEMI 制造商全称:TY Semiconductor Co., Ltd 功能描述:SILICON PLANAR ZENER DIODES |
| KMM35 | 制造商:TYSEMI 制造商全称:TY Semiconductor Co., Ltd 功能描述:SILICON PLANAR ZENER DIODES |
| KMM350VN561M30X50T2 | 功能描述:铝质电解电容器-管理单元 560UF 350V RoHS:否 制造商:Nichicon 电容:470 uF 容差:20 % 电压额定值:450 V ESR: 工作温度范围:- 25 C to + 105 C 系列:AR 直径:35 mm 长度:45 mm 引线间隔:10 mm 产品:General Purpose Electrolytic Capacitors |
| KMM350VN681M30X60T2 | 功能描述:铝质电解电容器-管理单元 680uF 350V 30X60 RoHS:否 制造商:Nichicon 电容:470 uF 容差:20 % 电压额定值:450 V ESR: 工作温度范围:- 25 C to + 105 C 系列:AR 直径:35 mm 长度:45 mm 引线间隔:10 mm 产品:General Purpose Electrolytic Capacitors |
| KMM350VS221M20X50T2 | 功能描述:铝质电解电容器-管理单元 220UF 350V RoHS:否 制造商:Nichicon 电容:470 uF 容差:20 % 电压额定值:450 V ESR: 工作温度范围:- 25 C to + 105 C 系列:AR 直径:35 mm 长度:45 mm 引线间隔:10 mm 产品:General Purpose Electrolytic Capacitors |
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