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参数资料
| 型号： | KOM2125FA |
| 厂商： | Osram Opto Semiconductors GmbH |
| 英文描述： | 2fach-Silizium-PIN Fotodiode in SMT |
| 中文描述： | 2fach - Silizium针Fotodiode在SMT |
| 文件页数： | 2/5页 |
| 文件大小： | 204K |
| 代理商： | KOM2125FA |
2001-02-21
2
KOM 2125, KOM 2125 FA
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Parameter
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
T
op; Tstg
– 40
… +80
°C
Sperrspannung
Reverse voltage
V
R
60
V
Verlustleistung,
T
A = 25 °C
Total power dissipation
P
tot
150
mW
Kennwerte (
T
A = 25 °C)
Characteristics (
T
A = 25 °C)
Bezeichnung
Parameter
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
KOM 2125
KOM 2125 FA
Fotostrom
Photocurrent
V
R = 5 V, Normlicht/standard light A
T = 2856 K, E
v = 1000 Ix
V
R = 5 V, λ = 870 nm,Ee = 1mW/cm
2
Diode A
Diode B
Diode A
Diode B
I
P
I
P
40 (
> 30)
100 (> 75)
–
26 (> 20)
70 (> 50)
A
Wellenlnge der max. Fotoempfindlichkeit
Wavelength of max. sensitivity
λ
S max
850
900
nm
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit
S = 10% von S
max
Spectral range of sensitivity
S = 10% of S
max
λ
400
… 1100 750 ... 1100
nm
Bestrahlungsempfindliche Flche
Diode A
Radiant sensitive area
Diode B
A
4
10
4
10
mm
2
Abmessung der
bestrahlungsempfindlichen Flche
Dimensions of radiant sensitive area
Diode A
Diode B
L
× B
L
× W
2
× 2
2
× 5
2
× 2
2
× 5
mm
× mm
mm
× mm
Abstand Chipoberflche zu Verguoberflche
Distance chip front to case seal
H
0.3
mm
Halbwinkel
Half angle
± 60
Grad
deg.
Dunkelstrom,
V
R = 10 V
Diode A
Dark current
Diode B
I
R
5 (
≤ 30)
10 (
≤ 30)
5 (
≤ 30)
10 (
≤ 30)
nA
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