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参数资料
| 型号： | KS328-85MG3M |
| 厂商： | ADVANCED INTERCONNECTIONS CORP |
| 元件分类： | 插座 |
| 英文描述： | DIP28, IC SOCKET |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 151K |
| 代理商： | KS328-85MG3M |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KS324-49MG3M | DIP24, IC SOCKET |
| KS932-33TGRTV | DIP32, IC SOCKET |
| KS432-176TGRTV | DIP32, IC SOCKET |
| KS664-04TGRTV | DIP64, IC SOCKET |
| KS640-04TGRTV | DIP40, IC SOCKET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| KS328-85TG | 制造商:Advanced Interconnect 功能描述: |
| KS32C5000A01 | 制造商:SAMSUNG 功能描述:New |
| KS3302BU | 功能描述:两极晶体管 - BJT Transistor Small Signal RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| KS3302TA | 功能描述:两极晶体管 - BJT Transistor Small Signal RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| KS33J4 | 制造商:SECOS 制造商全称:SeCoS Halbleitertechnologie GmbH 功能描述:40 W Transient Voltage Suppressor Diode |
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