参数资料
型号: KSA643
厂商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分类: 小信号晶体管
英文描述: LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER
中文描述: 500 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
文件页数: 2/4页
文件大小: 40K
代理商: KSA643
2001 Fairchild Semiconductor Corporation
K
Rev. A1, June 2001
Typical Characteristics
Figure 1. Static Characteristic
Figure 2. DC current Gain
Figure 3. Base-Emitter Saturation Voltage
Collector-Emitter Saturation Voltage
Figure 4. Base-Emitter On Voltage
Figure 5. Collector Output Capacitance
0
-2
-4
-6
-8
-10
-12
-14
-16
-18
-20
0
-50
-100
-150
-200
-250
-300
-350
-400
-450
-500
I
B
= -1.4mA
I
B
= -1.6mA
I
B
= -1.2mA
I
B
= -0.8mA
I
B
= -0.6mA
I
B
= -0.4mA
I
B
= -1.0mA
I
B
= -0.2mA
I
C
[
V
CE
[V], COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE
-1
-10
-100
-1000
10
100
1000
V
CE
= -1V
h
F
,
I
C
[mA], COLLECTOR CURRENT
-1
-10
-100
-1000
-0.01
-0.1
-1
-10
I
C
= 10 I
B
V
CE
(sat)
V
BE
(sat)
V
B
(
C
(
I
C
[mA], COLLECTOR CURRENT
0.0
-0.2
-0.4
-0.6
-0.8
-1.0
-1.2
-1
-10
-100
-1000
V
CE
= -1V
I
C
[
V
BE
[V], BASE-EMITTER VOLTAGE
-1
-1
-10
1
10
100
I
E
= 0
f = 100KHz
C
o
V
CB
[V], COLLECTOR-BASE VOLTAGE
相关PDF资料
PDF描述
KSA708 Ceramic Multilayer Capacitor; Capacitor Type:General Purpose; Capacitance:68pF; Capacitance Tolerance:+/- 5%; Voltage Rating:50VDC; Capacitor Dielectric Material:Multilayer Ceramic; Package/Case:0402; Termination:SMD RoHS Compliant: Yes
KSA733 Low Frequency Amplifier
KSA733CG Low Frequency Amplifier
KSA733CL Low Frequency Amplifier
KSA733CO Low Frequency Amplifier
相关代理商/技术参数
参数描述
KSA643CYBU 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
KSA643CYTA 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP Epitaxial Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
KSA643CYTA_Q 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP Epitaxial Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
KSA643GBU 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
KSA643GTA 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP Epitaxial transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2