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参数资料
| 型号： | KSB1151 |
| 厂商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | Low Collector-Emitter Saturation Voltage Large Collector Current |
| 中文描述： | 5 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126 |
| 封装： | TO-126, 3 PIN |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 160K |
| 代理商： | KSB1151 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KSB1366 | LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER |
| KSB546 | PNP (TV VERTICAL DEFLECTION OUTPUT) |
| KSB546 | TV Vertical Deflection Output |
| KSB564A | Audio Frequency Power Amplifier |
| KSB564AOBU | Audio Frequency Power Amplifier |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| KSB1151YS | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| KSB1151YSTSSTU | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| KSB1151YSTSTU | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP Epitaxial Sil Short Leads RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| KSB1151YSTU | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| KSB13002AR | 制造商:SEMIHOW 制造商全称:SEMIHOW 功能描述:High Voltage Switch Mode Application |
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