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参数资料
| 型号： | KSB564AG |
| 厂商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | Audio Frequency Power Amplifier |
| 中文描述： | 1000 mA, 25 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 41K |
| 代理商： | KSB564AG |
2001 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. A1, June 2001
K
PNP Epitaxial Silicon Transistor
Absolute Maximum Ratings
T
a
=25
°
C unless otherwise noted
Symbol
V
CBO
Collector-Base Voltage
V
CEO
Collector-Emitter Voltage
V
EBO
Emitter-Base Voltage
I
C
Collector Current
P
C
Collector Power Dissipation
T
J
Junction Temperature
T
STG
Storage Temperature
Electrical Characteristics
T
a
=25
°
C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
BV
CBO
Collector-Base Breakdown Voltage
BV
CEO
Collector-Emitter Breakdown Voltage
BV
EBO
Emitter-Base Breakdown Voltage
I
CBO
Collector Cut-off Current
h
FE
DC Current Gain
V
CE
(sat)
Collector-Emitter Saturation Voltage
V
BE
(sat)
Base-Emitter Saturation Voltage
f
T
Current Gain Bandwidth Product
C
ob
Output Capacitance
h
FE
Classification
Classification
h
FE
Parameter
Ratings
-30
-25
-5
-1.0
800
150
-55 ~ 150
Units
V
V
V
A
mW
°
C
°
C
Test Condition
I
C
= -100
μ
A, I
E
=0
I
C
= -10mA, I
B
=0
I
E
= -100
μ
A, I
C
=0
V
CB
= -30V, I
E
=0
V
CE
= -1V, I
C
= -100mA
I
C
= -1A, I
B
= -0.1A
I
C
= -1A, I
B
= -0.1A
V
CE
= -6V, I
C
= -10mA
V
CB
= -6V, I
E
=0, f=1MHz
Min.
-30
-25
-5
Typ.
Max.
Units
V
V
V
μ
A
-0.1
400
-0.5
-1.2
70
V
V
110
18
MHz
pF
O
Y
G
70 ~ 140
120 ~ 240
200 ~ 400
KSB564A
Audio Frequency Power Amplifier
Complement to KSD471A
Collector Current : I
C
= -1A
Collector Power Dissipation : P
C
= 800mW
Suffix “-C” means Center Collector (1. Emitter 2. Collector 3. Base)
1. Emitter 2. Base 3. Collector
TO-92
1
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KSB564AGBU | Audio Frequency Power Amplifier |
| KSB564AO | Audio Frequency Power Amplifier |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| KSB564AGTA | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP Epitaxial Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| KSB564AGTA_Q | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP Epitaxial Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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