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参数资料
| 型号： | KU10R29N-4063 |
| 元件分类： | 浪涌电流限制器 |
| 英文描述： | 100 A, SILICON SURGE PROTECTOR |
| 封装： | M2F, 2 PIN |
| 文件页数： | 1/1页 |
| 文件大小： | 56K |
| 代理商： | KU10R29N-4063 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KU15N14-4063 | 150 A, SILICON SURGE PROTECTOR |
| KU4L08-4063 | 40 A, SILICON SURGE PROTECTOR |
| KU4N12-4063 | 40 A, SILICON SURGE PROTECTOR |
| KPCIEX-T-2302GR15 | 230 CONTACT(S), FEMALE, STRAIGHT SINGLE PART CARD EDGE CONN, SOLDER |
| KPCIEX-T-2302GR30 | 230 CONTACT(S), FEMALE, STRAIGHT SINGLE PART CARD EDGE CONN, SOLDER |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| KU10R29N-4073 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 VDRM=250 ITSM=100 RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| KU10R29N-5063 | 功能描述:硅对称二端开关元件 VDRM=250 ITSM=100 RoHS:否 制造商:Bourns 转折电流 VBO:40 V 最大转折电流 IBO:800 mA 不重复通态电流: 额定重复关闭状态电压 VDRM:25 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）: 保持电流（Ih 最大值）:50 mA 开启状态电压:5 V 关闭状态电容 CO:120 pF 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AA |
| KU10R29N-5073 | 功能描述:硅对称二端开关元件 VDRM=250 ITSM=100 RoHS:否 制造商:Bourns 转折电流 VBO:40 V 最大转折电流 IBO:800 mA 不重复通态电流: 额定重复关闭状态电压 VDRM:25 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）: 保持电流（Ih 最大值）:50 mA 开启状态电压:5 V 关闭状态电容 CO:120 pF 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AA |
| KU10S31N-5063 | 功能描述:硅对称二端开关元件 275 Volt 100 Amp RoHS:否 制造商:Bourns 转折电流 VBO:40 V 最大转折电流 IBO:800 mA 不重复通态电流: 额定重复关闭状态电压 VDRM:25 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）: 保持电流（Ih 最大值）:50 mA 开启状态电压:5 V 关闭状态电容 CO:120 pF 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AA |
| KU10S35N | 功能描述:硅对称二端开关元件 Surge Suppressor RoHS:否 制造商:Bourns 转折电流 VBO:40 V 最大转折电流 IBO:800 mA 不重复通态电流: 额定重复关闭状态电压 VDRM:25 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）: 保持电流（Ih 最大值）:50 mA 开启状态电压:5 V 关闭状态电容 CO:120 pF 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AA |
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