型号: | L-14FR12GV4E |
元件分类: | 通用定值电感 |
英文描述: | 1 ELEMENT, 0.12 uH, FERRITE-CORE, GENERAL PURPOSE INDUCTOR, SMD |
封装: | CHIP, 0603 |
文件页数: | 3/3页 |
文件大小: | 250K |
代理商: | L-14FR12GV4E |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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L-14FR12JV4E | 1 ELEMENT, 0.12 uH, FERRITE-CORE, GENERAL PURPOSE INDUCTOR, SMD |
L-15F22NKV4E | 1 ELEMENT, 0.022 uH, FERRITE-CORE, GENERAL PURPOSE INDUCTOR, SMD |
L-15F4N7SV4E | 1 ELEMENT, 0.0047 uH, FERRITE-CORE, GENERAL PURPOSE INDUCTOR, SMD |
L-15F8N2CV4E | 1 ELEMENT, 0.0082 uH, FERRITE-CORE, GENERAL PURPOSE INDUCTOR, SMD |
L-15FR18GV4E | 1 ELEMENT, 0.18 uH, FERRITE-CORE, GENERAL PURPOSE INDUCTOR, SMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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L14G1 | 功能描述:光电晶体管 6mA PHOTO TRANS RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗电流:200 nA 封装 / 箱体:T-1 |
L14G1 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:Photo Transistor Package/Case:TO-18 |
L14G1 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:PHOTOTRANSISTOR TO-18 |
L14G1_Q | 功能描述:光电晶体管 6mA PHOTO TRANS RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗电流:200 nA 封装 / 箱体:T-1 |
L14G2 | 功能描述:光电晶体管 3mA PHOTO TRANS RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗电流:200 nA 封装 / 箱体:T-1 |