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参数资料
| 型号： | L2004V6 |
| 元件分类： | 晶闸管 |
| 英文描述： | 200 V, 4 A, 4 QUADRANT LOGIC LEVEL TRIAC, TO-251 |
| 封装： | TO-251, 3 PIN |
| 文件页数： | 2/2页 |
| 文件大小： | 30K |
| 代理商： | L2004V6 |
PARAMETERS
Package Type
Pkg Type
Radial Leaded
Mount Method
Mount
Through-Hole
Critical Rate-of-rise of On-state Current
di/dt (A/s)
50
Critical rate-of-rise of off-state voltage
dv/dt @ 100°C
(V/s)
30
Critical rate-of-rise of off-state voltage
dv/dt @ 125°C
(V/s)
0
Critical Rate-of-rise of Commutation Voltage of a
Triac (commutating dv/dt)
dv/dt(c) TYP
(V/s)
1
Repetitive Peak off-state Current
IDRM @ 100°C max
(mA)
0.0000
Repetitive Peak off-state Current
IDRM @ 110°C
MAX (mA)
0.2000
Repetitive Peak off-state Current
IDRM @ 125°C max
(mA)
0.0000
Repetitive Peak off-state Current
IDRM @ 25°C max
(mA)
0.0100
Gate Trigger Current - Q4
IGT Q4 TYP (mA)
0
Peak gate trigger current
IGTM (A)
1.2000
RMS Surge (Non-repetitive) On-state Fusing Current
I2 t (A2 Sec)
6.6000
Average Gate Power Dissipation
PG(AV) (Watts)
0.3000
Peak Gate Power Dissipation
PGM (Watts)
15
Package Size / Form Factor
Size
TO-251
Gate-controlled Turn-on time
TGT TYP (s)
3.0000
Maximum Gate Trigger Voltage
VGT MAX @ 125°C
(V)
0.2000
Gate Trigger Voltage
VGT MAX @ 25°C
(V)
2.0000
Peak on-state voltage a maximum rated RMS current
VTM (V)
1.6000
Maximum On-state Current
IT(RMS) MAX (A)
4
Repetitive Peak Off-state Voltage
VDRM MIN (V)
200
Gate Trigger Current - Q1
IGT Q1 MAX (mA) 5
Gate Trigger Current - Q2
IGT Q2 MAX (mA) 5
Gate Trigger Current - Q3
IGT Q3 MAX (mA) 5
Gate Trigger Current - Q4
IGT Q4 MAX (mA) 10
Maximum Holding Current
IH MAX (mA)
10
Surge (Non-repetitive) On-state current
ITSM @ 60Hz (A)
40
Surge (Non-repetitive) On-state current
ITSM @ 50Hz (A)
33
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