| 型号: | L2008D8 |
| 元件分类: | 晶闸管 |
| 英文描述: | 200 V, 8 A, 4 QUADRANT LOGIC LEVEL TRIAC, TO-252 |
| 封装: | DPAK-3 |
| 文件页数: | 1/8页 |
| 文件大小: | 97K |
| 代理商: | L2008D8 |

相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| L2008V6 | 200 V, 8 A, 4 QUADRANT LOGIC LEVEL TRIAC, TO-251 |
| L2008V8 | 200 V, 8 A, 4 QUADRANT LOGIC LEVEL TRIAC, TO-251 |
| L4004D3 | 400 V, 4 A, 4 QUADRANT LOGIC LEVEL TRIAC, TO-252 |
| L4004D5 | 400 V, 4 A, 4 QUADRANT LOGIC LEVEL TRIAC, TO-252 |
| L4004D6 | 400 V, 4 A, 4 QUADRANT LOGIC LEVEL TRIAC, TO-252 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| L2008D8RP | 功能描述:双向可控硅 200V 8A Sensing 10-10-10-20mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 开启状态 RMS 电流 (It RMS):16 A 不重复通态电流:120 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流(在 VDRM IDRM 下):5 uA 开启状态电压: 保持电流(Ih 最大值):45 mA 栅触发电压 (Vgt):1.3 V 栅触发电流 (Igt):1.75 mA 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220AB |
| L2008D8TP | 功能描述:双向可控硅 200V 8A Sensing 10-10-10-20mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 开启状态 RMS 电流 (It RMS):16 A 不重复通态电流:120 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流(在 VDRM IDRM 下):5 uA 开启状态电压: 保持电流(Ih 最大值):45 mA 栅触发电压 (Vgt):1.3 V 栅触发电流 (Igt):1.75 mA 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220AB |
| L2008L6 | 功能描述:双向可控硅 200V 8A Sensing 5-5-5-10mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 开启状态 RMS 电流 (It RMS):16 A 不重复通态电流:120 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流(在 VDRM IDRM 下):5 uA 开启状态电压: 保持电流(Ih 最大值):45 mA 栅触发电压 (Vgt):1.3 V 栅触发电流 (Igt):1.75 mA 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220AB |
| L2008L659 | 功能描述:双向可控硅 200V 8A Sensing 5-5-5-10mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 开启状态 RMS 电流 (It RMS):16 A 不重复通态电流:120 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流(在 VDRM IDRM 下):5 uA 开启状态电压: 保持电流(Ih 最大值):45 mA 栅触发电压 (Vgt):1.3 V 栅触发电流 (Igt):1.75 mA 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220AB |
| L2008L6V | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRIAC|200V V(DRM)|8A I(T)RMS|TO-220AB |