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参数资料
| 型号： | L201E5 |
| 元件分类： | 晶闸管 |
| 英文描述： | 200 V, 1 A, 4 QUADRANT LOGIC LEVEL TRIAC, TO-92 |
| 文件页数： | 1/13页 |
| 文件大小： | 1176K |
| 代理商： | L201E5 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| L401E5 | 400 V, 1 A, 4 QUADRANT LOGIC LEVEL TRIAC, TO-92 |
| L601E5 | 600 V, 1 A, 4 QUADRANT LOGIC LEVEL TRIAC, TO-92 |
| L201E9 | 200 V, 1 A, TRIAC, TO-92 |
| L6004L9 | 600 V, 4 A, TRIAC, TO-220AB |
| L4004N91 | 400 V, 4 A, TRIAC, TO-202AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| L201E575 | 功能描述:双向可控硅 200V 1A Sensing 5-5-5-5mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 开启状态 RMS 电流 (It RMS):16 A 不重复通态电流:120 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 开启状态电压: 保持电流（Ih 最大值）:45 mA 栅触发电压 (Vgt):1.3 V 栅触发电流 (Igt):1.75 mA 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220AB |
| L201E5RP | 功能描述:双向可控硅 200V 1A Sensing 5-5-5-5mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 开启状态 RMS 电流 (It RMS):16 A 不重复通态电流:120 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 开启状态电压: 保持电流（Ih 最大值）:45 mA 栅触发电压 (Vgt):1.3 V 栅触发电流 (Igt):1.75 mA 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220AB |
| L201E6 | 功能描述:双向可控硅 200V 1A Sensing 5-5-5-10mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 开启状态 RMS 电流 (It RMS):16 A 不重复通态电流:120 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 开启状态电压: 保持电流（Ih 最大值）:45 mA 栅触发电压 (Vgt):1.3 V 栅触发电流 (Igt):1.75 mA 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220AB |
| L201E7 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRIAC|200V V(DRM)|1A I(T)RMS|TO-92 |
| L201E8 | 功能描述:双向可控硅 200V 1A Sensing 10-10-10-20mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 开启状态 RMS 电流 (It RMS):16 A 不重复通态电流:120 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 开启状态电压: 保持电流（Ih 最大值）:45 mA 栅触发电压 (Vgt):1.3 V 栅触发电流 (Igt):1.75 mA 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220AB |
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