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参数资料
| 型号： | L4X8E3 |
| 元件分类： | 晶闸管 |
| 英文描述： | 400 V, 0.8 A, 4 QUADRANT LOGIC LEVEL TRIAC, TO-92 |
| 封装： | PLASTIC PACKAGE-3 |
| 文件页数： | 8/8页 |
| 文件大小： | 97K |
| 代理商： | L4X8E3 |
Sensitive Triacs
Data Sheets
http://www.teccor.com
E1 - 8
2004 Teccor Electronics
+1 972-580-7777
Thyristor Product Catalog
Figure E1.9 Peak Surge Current versus Surge Current Duration
Figure E1.10 Power Dissipation (Typical) versus RMS On-state Current
(0.8 A and 1 A)
Figure E1.11 Power Dissipation (Typical) versus RMS On-state Current
(4 A, 6 A, and 8 A)
1
24
36 8 10
20
40
30
60
100
200
400 600 1000
1
2
3
4
6
10
8
20
30
40
60
100
80
150
200
Surge Current Duration – Full Cycles
Peak
Surge
(Non-Repetitive)
On-State
Current
(I
TSM
)–
Amps
8 A
6 A
0.8 A
SUPPLY FREQUENCY: 60 Hz Sinusoidal
LOAD: Resistive
RMS On-state Current: [IT(RMS)]: Maximum
Rated Value at Specified Case Temperature
NOTES:
1) Gate control may be lost during
and immediately following surge
current interval.
2) Overload may not be repeated until
junction temperature has returned
to steady-state rated value.
1 A
4 A
0
0.25
0.50
0.75
1.0
1.25
1.5
0
0.5
1.0
1.5
RMS On-state Current [IT(RMS)] – Amps
Average
On-state
Power
Dissipation
[P
D(AV)
]–
Watts
CURRENT WAVEFORM: Sinusoidal
LOAD: Resistive or Inductive
CONDUCTION ANGLE: 360
1 A
0.8 A
0
.5
1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0 5.5 6.0 6.5 7.0 7.5
0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
7.0
8.0
9.0
8.0
6 A and 8 A
4 A
RMS On-state Current [IT(RMS)] – Amps
Average
On-state
Power
Dissipation
[P
D(AV)
]–
Watts
CURRENT WAVEFORM: Sinusoidal
LOAD: Resistive or Inductive
CONDUCTION ANGLE: 360
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| L4X8E5 | 400 V, 0.8 A, 4 QUADRANT LOGIC LEVEL TRIAC, TO-92 |
| L601E3 | 600 V, 1 A, 4 QUADRANT LOGIC LEVEL TRIAC, TO-92 |
| L601E5 | 600 V, 1 A, 4 QUADRANT LOGIC LEVEL TRIAC, TO-92 |
| L601E6 | 600 V, 1 A, 4 QUADRANT LOGIC LEVEL TRIAC, TO-92 |
| L601E8 | 600 V, 1 A, 4 QUADRANT LOGIC LEVEL TRIAC, TO-92 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| L4X8E3AP | 功能描述:双向可控硅 400V .8A Sensing 3-3-3-3mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 开启状态 RMS 电流 (It RMS):16 A 不重复通态电流:120 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 开启状态电压: 保持电流（Ih 最大值）:45 mA 栅触发电压 (Vgt):1.3 V 栅触发电流 (Igt):1.75 mA 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220AB |
| L4X8E3RP | 功能描述:双向可控硅 400V .8A Sensing 3-3-3-3mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 开启状态 RMS 电流 (It RMS):16 A 不重复通态电流:120 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 开启状态电压: 保持电流（Ih 最大值）:45 mA 栅触发电压 (Vgt):1.3 V 栅触发电流 (Igt):1.75 mA 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220AB |
| L4X8E5 | 功能描述:双向可控硅 400V .8A Sensing 5-5-5-5mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 开启状态 RMS 电流 (It RMS):16 A 不重复通态电流:120 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 开启状态电压: 保持电流（Ih 最大值）:45 mA 栅触发电压 (Vgt):1.3 V 栅触发电流 (Igt):1.75 mA 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220AB |
| L4X8E5AP | 功能描述:双向可控硅 400V .8A Sensing 5-5-5-5mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 开启状态 RMS 电流 (It RMS):16 A 不重复通态电流:120 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 开启状态电压: 保持电流（Ih 最大值）:45 mA 栅触发电压 (Vgt):1.3 V 栅触发电流 (Igt):1.75 mA 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220AB |
| L4X8E5RP | 功能描述:SEN TRIAC .8A 400V 5 5 5 5MA RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> 三端双向可控硅开关 系列:- 标准包装:1 系列:- 三端双向可控硅开关类型:逻辑 - 灵敏栅极 电压 - 断路:800V 电流 - 导通状态 (It (RMS))（最大）:6A 电压 - 栅极触发器 (Vgt)（最大）:1.5V 电流 - 非重复电涌，50、60Hz (Itsm):* 电流 - 栅极触发电流 (Igt)（最大）:10mA 电流 - 维持(Ih):25mA 配置:单一 安装类型:* 封装/外壳:* 供应商设备封装:* 包装:* 其它名称:568-9616-6 |
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