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参数资料
| 型号： | L601E3 |
| 元件分类： | 晶闸管 |
| 英文描述： | 600 V, 1 A, 4 QUADRANT LOGIC LEVEL TRIAC, TO-92 |
| 文件页数： | 1/13页 |
| 文件大小： | 1176K |
| 代理商： | L601E3 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| L201E3 | 200 V, 1 A, 4 QUADRANT LOGIC LEVEL TRIAC, TO-92 |
| L401E3 | 400 V, 1 A, 4 QUADRANT LOGIC LEVEL TRIAC, TO-92 |
| L2008R6 | 200 V, 8 A, TRIAC, TO-220AB |
| L4008R6 | 400 V, 8 A, TRIAC, TO-220AB |
| L6008R6 | 600 V, 8 A, TRIAC, TO-220AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| L601E3_ | 功能描述:双向可控硅 - Use 576-L601E3 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 开启状态 RMS 电流 (It RMS):16 A 不重复通态电流:120 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 开启状态电压: 保持电流（Ih 最大值）:45 mA 栅触发电压 (Vgt):1.3 V 栅触发电流 (Igt):1.75 mA 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220AB |
| L601E375 | 功能描述:双向可控硅 600V 1A Sensing 3-3-3-3mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 开启状态 RMS 电流 (It RMS):16 A 不重复通态电流:120 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 开启状态电压: 保持电流（Ih 最大值）:45 mA 栅触发电压 (Vgt):1.3 V 栅触发电流 (Igt):1.75 mA 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220AB |
| L601E3AP | 功能描述:SEN TRIAC 1A 600V 3 3 3 3MA RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> 三端双向可控硅开关 系列:- 标准包装:1 系列:- 三端双向可控硅开关类型:逻辑 - 灵敏栅极 电压 - 断路:800V 电流 - 导通状态 (It (RMS))（最大）:6A 电压 - 栅极触发器 (Vgt)（最大）:1.5V 电流 - 非重复电涌，50、60Hz (Itsm):* 电流 - 栅极触发电流 (Igt)（最大）:10mA 电流 - 维持(Ih):25mA 配置:单一 安装类型:* 封装/外壳:* 供应商设备封装:* 包装:* 其它名称:568-9616-6 |
| L601E3RP | 功能描述:双向可控硅 600V 1A Sensing 3-3-3-3mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 开启状态 RMS 电流 (It RMS):16 A 不重复通态电流:120 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 开启状态电压: 保持电流（Ih 最大值）:45 mA 栅触发电压 (Vgt):1.3 V 栅触发电流 (Igt):1.75 mA 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220AB |
| L601E5 | 功能描述:双向可控硅 600V 1A Sensing 5-5-5-5mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 开启状态 RMS 电流 (It RMS):16 A 不重复通态电流:120 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 开启状态电压: 保持电流（Ih 最大值）:45 mA 栅触发电压 (Vgt):1.3 V 栅触发电流 (Igt):1.75 mA 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220AB |
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