参数资料
型号: LAMXO640C-3FTN256E
厂商: Lattice Semiconductor Corporation
文件页数: 27/77页
文件大小: 0K
描述: IC FPGA 640LUTS 256TQFP
标准包装: 90
系列: LA-MachXO
可编程类型: 系统内可编程
最大延迟时间 tpd(1): 4.9ns
电压电源 - 内部: 1.71 V ~ 3.465 V
宏单元数: 320
输入/输出数: 159
工作温度: -40°C ~ 125°C
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 256-LBGA
供应商设备封装: 256-FTBGA(17x17)
包装: 托盘
3-7
DC and Switching Characteristics
Lattice Semiconductor
LA-MachXO Automotive Family Data Sheet
sysIO Single-Ended DC Electrical Characteristics
Input/Output
Standard
VIL
VIH
VOL Max.
(V)
VOH Min.
(V)
IOL
1
(mA)
IOH
1
(mA)
Min. (V)
Max. (V)
Min. (V)
Max. (V)
LVCMOS 3.3
-0.3
0.8
2.0
3.6
0.4
VCCIO - 0.4
16, 12, 8, 4
-14, -12, -8, -4
0.2
VCCIO - 0.2
0.1
-0.1
LVTTL
-0.3
0.8
2.0
3.6
0.4
2.4
16
-16
0.4
VCCIO - 0.4
12, 8, 4
-12, -8, -4
0.2
VCCIO - 0.2
0.1
-0.1
LVCMOS 2.5
-0.3
0.7
1.7
3.6
0.4
VCCIO - 0.4
16, 12, 8, 4
-14, -12, -8, -4
0.2
VCCIO - 0.2
0.1
-0.1
LVCMOS 1.8
-0.3
0.35VCCIO
0.65VCCIO
3.6
0.4
VCCIO - 0.4
16, 12, 8, 4
-14, -12, -8, -4
0.2
VCCIO - 0.2
0.1
-0.1
LVCMOS 1.5
-0.3
0.35VCCIO
0.65VCCIO
3.6
0.4
VCCIO - 0.4
8, 4
-8, -4
0.2
VCCIO - 0.2
0.1
-0.1
LVCMOS 1.2
(“C” Version)
-0.3
0.42
0.78
3.6
0.4
VCCIO - 0.4
6, 2
-6, -2
0.2
VCCIO - 0.2
0.1
-0.1
LVCMOS 1.2
(“E” Version)
-0.3
0.35VCC
0.65VCC
3.6
0.4
VCCIO - 0.4
6, 2
-6, -2
0.2
VCCIO - 0.2
0.1
-0.1
PCI
-0.3
0.3VCCIO
0.5VCCIO
3.6
0.1VCCIO
0.9VCCIO
1.5
-0.5
1. The average DC current drawn by I/Os between GND connections, or between the last GND in an I/O Bank and the end of an I/O Bank, as
shown in the logic signal connections table shall not exceed n * 8mA. Where n is the number of I/Os between Bank GND connections or
between the last GND in a Bank and the end of a Bank.
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LAMXO640C-3TN144E 功能描述:CPLD - 复杂可编程逻辑器件 Auto Grade (AEC-Q100 ) MachXO640C RoHS:否 制造商:Lattice 系列: 存储类型:EEPROM 大电池数量:128 最大工作频率:333 MHz 延迟时间:2.7 ns 可编程输入/输出端数量:64 工作电源电压:3.3 V 最大工作温度:+ 90 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:TQFP-100
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