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参数资料
| 型号： | LC4256B-3FT256AC |
| 厂商： | Lattice Semiconductor Corporation |
| 文件页数： | 38/99页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC PLD 256MC 128I/O 3NS 256FTBGA |
| 标准包装： | 90 |
| 系列： | ispMACH® 4000B |
| 可编程类型： | 系统内可编程 |
| 最大延迟时间 tpd(1)： | 3.0ns |
| 电压电源 - 内部： | 2.3 V ~ 2.7 V |
| 逻辑元件/逻辑块数目： | 16 |
| 宏单元数： | 256 |
| 输入/输出数： | 160 |
| 工作温度： | 0°C ~ 90°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 256-LBGA |
| 供应商设备封装： | 256-FTBGA（17x17） |
| 包装： | 托盘 |
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Lattice Semiconductor
ispMACH 4000Z Timing Adders (Cont.) 1
ispMACH 4000V/B/C/Z Family Data Sheet
Adder
Base
-45
-5
-75
Type
Parameter
Description
Min.
Max.
Min.
Max.
Min.
Max.
Units
Optional Delay Adders
t INDIO
t EXP
t ORP
t BLA
t INREG
t MCELL
—
t ROUTE
Input register delay
Product term expander
delay
Output routing pool
delay
Additional block load-
ing adder
—
—
—
—
1.30
0.45
0.40
0.05
—
—
—
—
1.30
0.45
0.40
0.05
—
—
—
—
1.30
0.50
0.40
0.05
ns
ns
ns
ns
t IOI Input Adjusters
LVTTL_in
LVCMOS33_in
LVCMOS25_in
LVCMOS18_in
PCI_in
t IN, t GCLK_IN, t GOE
t IN, t GCLK_IN, t GOE
t IN, t GCLK_IN, t GOE
t IN, t GCLK_IN, t GOE
t IN, t GCLK_IN, t GOE
Using LVTTL standard
Using LVCMOS 3.3
standard
Using LVCMOS 2.5
standard
Using LVCMOS 1.8
standard
Using PCI compatible
input
—
—
—
—
—
0.60
0.60
0.60
0.00
0.60
—
—
—
—
—
0.60
0.60
0.60
0.00
0.60
—
—
—
—
—
0.60
0.60
0.60
0.00
0.60
ns
ns
ns
ns
ns
t IOO Output Adjusters
LVTTL_out
LVCMOS33_out
LVCMOS25_out
LVCMOS18_out
PCI_out
Slow Slew
t BUF, t EN, t DIS
t BUF, t EN, t DIS
t BUF, t EN, t DIS
t BUF, t EN, t DIS
t BUF, t EN, t DIS
t BUF, t EN
Output configured as
TTL buffer
Output configured as
3.3V buffer
Output configured as
2.5V buffer
Output configured as
1.8V buffer
Output configured as
PCI compatible buffer
Output configured for
slow slew rate
—
—
—
—
—
—
0.20
0.20
0.10
0.00
0.20
1.00
—
—
—
—
—
—
0.20
0.20
0.10
0.00
0.20
1.00
—
—
—
—
—
—
0.20
0.20
0.10
0.00
0.20
1.00
ns
ns
ns
ns
ns
ns
Note: Open drain timing is the same as corresponding LVCMOS timing. Timing v.2.2
1. Refer to TN1004, ispMACH 4000 Timing Model Design and Usage Guidelines for information regarding use of these adders.
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