参数资料
型号: LCMXO2280C-M-EVN
厂商: Lattice Semiconductor Corporation
文件页数: 31/88页
文件大小: 0K
描述: KIT DEV MINI MACHXO
标准包装: 1
系列: MachXO
类型: PLD
适用于相关产品: LCMXO2280C-3FTN256C
所含物品: 板,线缆,文档
其它名称: 220-1147
DC and Switching Characteristics
MachXO Family Data Sheet
sysIO Recommended Operating Conditions
V CCIO (V)
LVPECL
Standard
LVCMOS 3.3
LVCMOS 2.5
LVCMOS 1.8
LVCMOS 1.5
LVCMOS 1.2
LVTTL
PCI 3
LVDS 1, 2
1
BLVDS 1
RSDS 1
Min.
3.135
2.375
1.71
1.425
1.14
3.135
3.135
2.375
3.135
2.375
2.375
Typ.
3.3
2.5
1.8
1.5
1.2
3.3
3.3
2.5
3.3
2.5
2.5
Max.
3.465
2.625
1.89
1.575
1.26
3.465
3.465
2.625
3.465
2.625
2.625
1. Inputs on chip. Outputs are implemented with the addition of external resistors.
2. MachXO1200 and MachXO2280 devices have dedicated LVDS buffers
3. Input on the top bank of the MachXO1200 and MachXO2280 only.
sysIO Single-Ended DC Electrical Characteristics
Input/Output
Standard
LVCMOS 3.3
Min. (V)
-0.3
V IL
Max. (V)
0.8
V IH
Min. (V)
2.0
Max. (V)
3.6
V OL Max.
(V)
0.4
0.2
V OH Min.
(V)
V CCIO - 0.4
V CCIO - 0.2
I OL 1
(mA)
16, 12, 8, 4
0.1
I OH 1
(mA)
-14, -12, -8, -4
-0.1
0.4
2.4
16
-16
LVTTL
-0.3
0.8
2.0
3.6
0.4
V CCIO - 0.4
12, 8, 4
-12, -8, -4
0.2
V CCIO - 0.2
0.1
-0.1
LVCMOS 2.5
LVCMOS 1.8
LVCMOS 1.5
LVCMOS 1.2
(“C” Version)
LVCMOS 1.2
(“E” Version)
PCI
-0.3
-0.3
-0.3
-0.3
-0.3
-0.3
0.7
0.35V CCIO
0.35V CCIO
0.42
0.35V CC
0.3V CCIO
1.7
0.65V CCIO
0.65V CCIO
0.78
0.65V CC
0.5V CCIO
3.6
3.6
3.6
3.6
3.6
3.6
0.4
0.2
0.4
0.2
0.4
0.2
0.4
0.2
0.4
0.2
0.1V CCIO
V CCIO - 0.4
V CCIO - 0.2
V CCIO - 0.4
V CCIO - 0.2
V CCIO - 0.4
V CCIO - 0.2
V CCIO - 0.4
V CCIO - 0.2
V CCIO - 0.4
V CCIO - 0.2
0.9V CCIO
16, 12, 8, 4
0.1
16, 12, 8, 4
0.1
8, 4
0.1
6, 2
0.1
6, 2
0.1
1.5
-14, -12, -8, -4
-0.1
-14, -12, -8, -4
-0.1
-8, -4
-0.1
-6, -2
-0.1
-6, -2
-0.1
-0.5
1. The average DC current drawn by I/Os between GND connections, or between the last GND in an I/O Bank and the end of an I/O Bank, as
shown in the logic signal connections table shall not exceed n * 8mA. Where n is the number of I/Os between Bank GND connections or
between the last GND in a Bank and the end of a Bank.
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LCMXO2280E-3B256C 功能描述:CPLD - 复杂可编程逻辑器件 2280 LUTs 211 I/O 1.2V -3 SPD RoHS:否 制造商:Lattice 系列: 存储类型:EEPROM 大电池数量:128 最大工作频率:333 MHz 延迟时间:2.7 ns 可编程输入/输出端数量:64 工作电源电压:3.3 V 最大工作温度:+ 90 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:TQFP-100
LCMXO2280E-3B256I 功能描述:CPLD - 复杂可编程逻辑器件 2280 LUTs 211 I/O 1.2V -3 SPD RoHS:否 制造商:Lattice 系列: 存储类型:EEPROM 大电池数量:128 最大工作频率:333 MHz 延迟时间:2.7 ns 可编程输入/输出端数量:64 工作电源电压:3.3 V 最大工作温度:+ 90 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:TQFP-100
LCMXO2280E-3BN256C 功能描述:CPLD - 复杂可编程逻辑器件 2280 LUTs 211 I/O 1.2V -3 SPD RoHS:否 制造商:Lattice 系列: 存储类型:EEPROM 大电池数量:128 最大工作频率:333 MHz 延迟时间:2.7 ns 可编程输入/输出端数量:64 工作电源电压:3.3 V 最大工作温度:+ 90 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:TQFP-100
LCMXO2280E-3BN256I 功能描述:CPLD - 复杂可编程逻辑器件 2280 LUTs 211 I/O 1.2V -3 SPD RoHS:否 制造商:Lattice 系列: 存储类型:EEPROM 大电池数量:128 最大工作频率:333 MHz 延迟时间:2.7 ns 可编程输入/输出端数量:64 工作电源电压:3.3 V 最大工作温度:+ 90 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:TQFP-100
LCMXO2280E-3FT256C 功能描述:CPLD - 复杂可编程逻辑器件 2280 LUTs 211 IO 1.2 V -3 Spd RoHS:否 制造商:Lattice 系列: 存储类型:EEPROM 大电池数量:128 最大工作频率:333 MHz 延迟时间:2.7 ns 可编程输入/输出端数量:64 工作电源电压:3.3 V 最大工作温度:+ 90 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:TQFP-100