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参数资料
| 型号： | LCMXO2280E-3B256I |
| 厂商： | LATTICE SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | PLD |
| 中文描述： | FLASH PLD, 5.1 ns, PBGA256 |
| 封装： | 14 X 14 MM, CABGA-256 |
| 文件页数： | 77/96页 |
| 文件大小： | 1389K |
| 代理商： | LCMXO2280E-3B256I |
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4-34
Pinout Information
Lattice Semiconductor
MachXO Family Data Sheet
F16
GND
-
H10
GND
-
H11
GND
-
H8
GND
-
H9
GND
-
J10
GND
-
J11
GND
-
J4
GND
-
J8
GND
-
J9
GND
-
K10
GND
-
K11
GND
-
K17
GND
-
K8
GND
-
K9
GND
-
L10
GND
-
L11
GND
-
L8
GND
-
L9
GND
-
N2
GND
-
P14
GND
-
P5
GND
-
R7
GND
-
F14
VCC
-
G11
VCC
-
G9
VCC
-
H7
VCC
-
L7
VCC
-
M9
VCC
-
H6
VCCIO7
7
J7
VCCIO7
7
M7
VCCIO6
6
K7
VCCIO6
6
M8
VCCIO5
5
R9
VCCIO5
5
M12
VCCIO4
4
M11
VCCIO4
4
L12
VCCIO3
3
K12
VCCIO3
3
J12
VCCIO2
2
H12
VCCIO2
2
G12
VCCIO1
1
G10
VCCIO1
1
LCMXO2280 Logic Signal Connections: 324 ftBGA (Cont.)
LCMXO2280
Ball Number
Ball Function
Bank
Dual Function
Differential
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| LCMXO2280E-3BN256C | 功能描述:CPLD - 复杂可编程逻辑器件 2280 LUTs 211 I/O 1.2V -3 SPD RoHS:否 制造商:Lattice 系列: 存储类型:EEPROM 大电池数量:128 最大工作频率:333 MHz 延迟时间:2.7 ns 可编程输入/输出端数量:64 工作电源电压:3.3 V 最大工作温度:+ 90 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:TQFP-100 |
| LCMXO2280E-3BN256I | 功能描述:CPLD - 复杂可编程逻辑器件 2280 LUTs 211 I/O 1.2V -3 SPD RoHS:否 制造商:Lattice 系列: 存储类型:EEPROM 大电池数量:128 最大工作频率:333 MHz 延迟时间:2.7 ns 可编程输入/输出端数量:64 工作电源电压:3.3 V 最大工作温度:+ 90 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:TQFP-100 |
| LCMXO2280E-3FT256C | 功能描述:CPLD - 复杂可编程逻辑器件 2280 LUTs 211 IO 1.2 V -3 Spd RoHS:否 制造商:Lattice 系列: 存储类型:EEPROM 大电池数量:128 最大工作频率:333 MHz 延迟时间:2.7 ns 可编程输入/输出端数量:64 工作电源电压:3.3 V 最大工作温度:+ 90 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:TQFP-100 |
| LCMXO2280E-3FT256I | 功能描述:CPLD - 复杂可编程逻辑器件 2280 LUTs 211 IO 1.2 V -3 Spd I RoHS:否 制造商:Lattice 系列: 存储类型:EEPROM 大电池数量:128 最大工作频率:333 MHz 延迟时间:2.7 ns 可编程输入/输出端数量:64 工作电源电压:3.3 V 最大工作温度:+ 90 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:TQFP-100 |
| LCMXO2280E-3FT324C | 功能描述:CPLD - 复杂可编程逻辑器件 2280 LUTs 271 IO 1.2 V -3 Spd RoHS:否 制造商:Lattice 系列: 存储类型:EEPROM 大电池数量:128 最大工作频率:333 MHz 延迟时间:2.7 ns 可编程输入/输出端数量:64 工作电源电压:3.3 V 最大工作温度:+ 90 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:TQFP-100 |
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