参数资料
型号: LCMXO640C-3BN256C
厂商: Lattice Semiconductor Corporation
文件页数: 5/88页
文件大小: 0K
描述: IC PLD 640LUTS 159I/O 256-BGA
标准包装: 119
系列: MachXO
可编程类型: 系统内可编程
最大延迟时间 tpd(1): 4.9ns
电压电源 - 内部: 1.71 V ~ 3.465 V
宏单元数: 320
输入/输出数: 159
工作温度: 0°C ~ 85°C
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 256-LFBGA,CSPBGA
供应商设备封装: 256-CABGA(14x14)
包装: 托盘
其它名称: 220-1530
LCMXO640C-3BN256C-ND
Architecture
MachXO Family Data Sheet
Figure 2-1. Top View of the MachXO1200 Device 1
PIOs Arranged into
sysIO Banks
Programmable
Functional Units
sysMEM Embedded
with RAM (PFUs)
Block RAM (EBR)
Programmable
Functional Units
without RAM (PFFs)
sysCLOCK
PLL
JTAG Port
1. Top view of the MachXO2280 device is similar but with higher LUT count, two PLLs, and three EBR blocks.
Figure 2-2. Top View of the MachXO640 Device
PIOs Arranged into
sysIO Banks
Programmable
Function Units
without RAM (PFFs)
Programmable
Function Units
with RAM (PFUs)
JTAG Port
2-2
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PDF描述
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参数描述
LCMXO640C-3BN256I 功能描述:CPLD - 复杂可编程逻辑器件 640 LUTs 159 I/O 1.8/2.5/3.3V -3 SPD RoHS:否 制造商:Lattice 系列: 存储类型:EEPROM 大电池数量:128 最大工作频率:333 MHz 延迟时间:2.7 ns 可编程输入/输出端数量:64 工作电源电压:3.3 V 最大工作温度:+ 90 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:TQFP-100
LCMXO640C-3F256C 功能描述:CPLD - 复杂可编程逻辑器件 Use LCMXO640C-3FT256 RoHS:否 制造商:Lattice 系列: 存储类型:EEPROM 大电池数量:128 最大工作频率:333 MHz 延迟时间:2.7 ns 可编程输入/输出端数量:64 工作电源电压:3.3 V 最大工作温度:+ 90 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:TQFP-100
LCMXO640C-3F256I 功能描述:CPLD - 复杂可编程逻辑器件 Use LCMXO640C-3FT256 RoHS:否 制造商:Lattice 系列: 存储类型:EEPROM 大电池数量:128 最大工作频率:333 MHz 延迟时间:2.7 ns 可编程输入/输出端数量:64 工作电源电压:3.3 V 最大工作温度:+ 90 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:TQFP-100
LCMXO640C-3FN256C 功能描述:CPLD - 复杂可编程逻辑器件 640 LUTS 159 I/O RoHS:否 制造商:Lattice 系列: 存储类型:EEPROM 大电池数量:128 最大工作频率:333 MHz 延迟时间:2.7 ns 可编程输入/输出端数量:64 工作电源电压:3.3 V 最大工作温度:+ 90 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:TQFP-100
LCMXO640C-3FN256I 功能描述:CPLD - 复杂可编程逻辑器件 Use LCMXO640C-3FTN25 RoHS:否 制造商:Lattice 系列: 存储类型:EEPROM 大电池数量:128 最大工作频率:333 MHz 延迟时间:2.7 ns 可编程输入/输出端数量:64 工作电源电压:3.3 V 最大工作温度:+ 90 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:TQFP-100