参数资料
型号: LCMXO640C-4B256I
厂商: LATTICE SEMICONDUCTOR CORP
元件分类: PLD
中文描述: FLASH PLD, 4.2 ns, PBGA256
封装: 14 X 14 MM, CABGA-256
文件页数: 26/96页
文件大小: 1389K
代理商: LCMXO640C-4B256I
3-6
DC and Switching Characteristics
Lattice Semiconductor
MachXO Family Data Sheet
sysIO Recommended Operating Conditions
Standard
VCCIO (V)
Min.
Typ.
Max.
LVCMOS 3.3
3.135
3.3
3.465
LVCMOS 2.5
2.375
2.5
2.625
LVCMOS 1.8
1.71
1.8
1.89
LVCMOS 1.5
1.425
1.5
1.575
LVCMOS 1.2
1.14
1.2
1.26
LVTTL
3.135
3.3
3.465
PCI
3
3.135
3.3
3.465
LVDS
1, 2
2.375
2.5
2.625
LVPECL
1
3.135
3.3
3.465
BLVDS
1
2.375
2.5
2.625
RSDS
1
2.375
2.5
2.625
1. Inputs on chip. Outputs are implemented with the addition of external resistors.
2. MachXO1200 and MachXO2280 devices have dedicated LVDS buffers
3. Input on the top bank of the MachXO1200 and MachXO2280 only.
相关PDF资料
PDF描述
LCMXO256C-3T100I
LCMXO640C-3FT256C
LCMXO2280C-3FT256C
LCMXO256E-3T100I
LCMXO256C-5T100C
相关代理商/技术参数
参数描述
LCMXO640C-4BN256C 功能描述:CPLD - 复杂可编程逻辑器件 640 LUTs 159 I/O 1.8/2.5/3.3V -4 SPD RoHS:否 制造商:Lattice 系列: 存储类型:EEPROM 大电池数量:128 最大工作频率:333 MHz 延迟时间:2.7 ns 可编程输入/输出端数量:64 工作电源电压:3.3 V 最大工作温度:+ 90 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:TQFP-100
LCMXO640C-4BN256I 功能描述:CPLD - 复杂可编程逻辑器件 640 LUTs 159 I/O 1.8/2.5/3.3V -4 SPD RoHS:否 制造商:Lattice 系列: 存储类型:EEPROM 大电池数量:128 最大工作频率:333 MHz 延迟时间:2.7 ns 可编程输入/输出端数量:64 工作电源电压:3.3 V 最大工作温度:+ 90 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:TQFP-100
LCMXO640C-4F256C 功能描述:CPLD - 复杂可编程逻辑器件 Use LCMXO640C-4FT256 RoHS:否 制造商:Lattice 系列: 存储类型:EEPROM 大电池数量:128 最大工作频率:333 MHz 延迟时间:2.7 ns 可编程输入/输出端数量:64 工作电源电压:3.3 V 最大工作温度:+ 90 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:TQFP-100
LCMXO640C-4F256I 功能描述:CPLD - 复杂可编程逻辑器件 Use LCMXO640C-4FT256 RoHS:否 制造商:Lattice 系列: 存储类型:EEPROM 大电池数量:128 最大工作频率:333 MHz 延迟时间:2.7 ns 可编程输入/输出端数量:64 工作电源电压:3.3 V 最大工作温度:+ 90 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:TQFP-100
LCMXO640C-4FN256C 功能描述:CPLD - 复杂可编程逻辑器件 Use LCMXO640C-4FTN25 RoHS:否 制造商:Lattice 系列: 存储类型:EEPROM 大电池数量:128 最大工作频率:333 MHz 延迟时间:2.7 ns 可编程输入/输出端数量:64 工作电源电压:3.3 V 最大工作温度:+ 90 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:TQFP-100