参数资料
型号: LCMXO640E-3B256I
厂商: Lattice Semiconductor Corporation
文件页数: 13/88页
文件大小: 0K
描述: IC PLD 640LUTS 159I/O 256-BGA
标准包装: 119
系列: MachXO
可编程类型: 系统内可编程
最大延迟时间 tpd(1): 4.9ns
电压电源 - 内部: 1.14 V ~ 1.26 V
宏单元数: 320
输入/输出数: 159
工作温度: -40°C ~ 100°C
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 256-LFBGA,CSPBGA
供应商设备封装: 256-CABGA(14x14)
包装: 托盘
Architecture
MachXO Family Data Sheet
Table 2-5. PLL Signal Descriptions
Signal
CLKI
CLKFB
RST
CLKOS
CLKOP
CLKOK
LOCK
CLKINTFB
DDAMODE
DDAIZR
DDAILAG
DDAIDEL[2:0]
I/O
I
I
I
O
O
O
O
O
I
I
I
I
Description
Clock input from external pin or routing
PLL feedback input from PLL output, clock net, routing/external pin or internal feedback from
CLKINTFB port
“1” to reset the input clock divider
PLL output clock to clock tree (phase shifted/duty cycle changed)
PLL output clock to clock tree (No phase shift)
PLL output to clock tree through secondary clock divider
“1” indicates PLL LOCK to CLKI
Internal feedback source, CLKOP divider output before CLOCKTREE
Dynamic Delay Enable. “1”: Pin control (dynamic), “0”: Fuse Control (static)
Dynamic Delay Zero. “1”: delay = 0, “0”: delay = on
Dynamic Delay Lag/Lead. “1”: Lag, “0”: Lead
Dynamic Delay Input
For more information on the PLL, please see details of additional technical documentation at the end of this data
sheet.
sysMEM Memory
The MachXO1200 and MachXO2280 devices contain sysMEM Embedded Block RAMs (EBRs). The EBR consists
of a 9-Kbit RAM, with dedicated input and output registers.
sysMEM Memory Block
The sysMEM block can implement single port, dual port, pseudo dual port, or FIFO memories. Each block can be
used in a variety of depths and widths as shown in Table 2-6.
Table 2-6. sysMEM Block Configurations
Memory Mode
Single Port
True Dual Port
Pseudo Dual Port
FIFO
2-10
Configurations
8,192 x 1
4,096 x 2
2,048 x 4
1,024 x 9
512 x 18
256 x 36
8,192 x 1
4,096 x 2
2,048 x 4
1,024 x 9
512 x 18
8,192 x 1
4,096 x 2
2,048 x 4
1,024 x 9
512 x 18
256 x 36
8,192 x 1
4,096 x 2
2,048 x 4
1,024 x 9
512 x 18
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参数描述
LCMXO640E-3BN256C 功能描述:CPLD - 复杂可编程逻辑器件 640 LUTs 159 I/O 1.2V -3 SPD RoHS:否 制造商:Lattice 系列: 存储类型:EEPROM 大电池数量:128 最大工作频率:333 MHz 延迟时间:2.7 ns 可编程输入/输出端数量:64 工作电源电压:3.3 V 最大工作温度:+ 90 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:TQFP-100
LCMXO640E-3BN256I 功能描述:CPLD - 复杂可编程逻辑器件 640 LUTs 159 I/O 1.2V -3 SPD RoHS:否 制造商:Lattice 系列: 存储类型:EEPROM 大电池数量:128 最大工作频率:333 MHz 延迟时间:2.7 ns 可编程输入/输出端数量:64 工作电源电压:3.3 V 最大工作温度:+ 90 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:TQFP-100
LCMXO640E-3F256C 功能描述:CPLD - 复杂可编程逻辑器件 Use LCMXO640E-3FT256 RoHS:否 制造商:Lattice 系列: 存储类型:EEPROM 大电池数量:128 最大工作频率:333 MHz 延迟时间:2.7 ns 可编程输入/输出端数量:64 工作电源电压:3.3 V 最大工作温度:+ 90 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:TQFP-100
LCMXO640E-3F256I 功能描述:CPLD - 复杂可编程逻辑器件 Use LCMXO640E-3FT256 RoHS:否 制造商:Lattice 系列: 存储类型:EEPROM 大电池数量:128 最大工作频率:333 MHz 延迟时间:2.7 ns 可编程输入/输出端数量:64 工作电源电压:3.3 V 最大工作温度:+ 90 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:TQFP-100
LCMXO640E-3FN256C 功能描述:CPLD - 复杂可编程逻辑器件 Use LCMXO640E-3FTN25 RoHS:否 制造商:Lattice 系列: 存储类型:EEPROM 大电池数量:128 最大工作频率:333 MHz 延迟时间:2.7 ns 可编程输入/输出端数量:64 工作电源电压:3.3 V 最大工作温度:+ 90 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:TQFP-100