收藏本站
参数资料
型号： LCMXO640E-3T100I
厂商： Lattice Semiconductor Corporation
文件页数： 39/88页
文件大小： 0K
描述： IC PLD 640LUTS 74I/O 100-TQFP
标准包装： 90
系列： MachXO
可编程类型： 系统内可编程
最大延迟时间 tpd(1)： 4.9ns
电压电源 - 内部： 1.14 V ~ 1.26 V
宏单元数： 320
输入/输出数： 74
工作温度： -40°C ~ 100°C
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： 100-LQFP
供应商设备封装： 100-TQFP（14x14）
包装： 托盘
DC and Switching Characteristics
MachXO Family Data Sheet
MachXO Family Timing Adders 1, 2, 3
Over Recommended Operating Conditions
Buffer Type
Description
-5
-4
-3
Units
Input Adjusters
PCI33
LVDS25 4
BLVDS25 4
LVPECL33 4
LVTTL33
LVCMOS33
LVCMOS25
LVCMOS18
LVCMOS15
LVCMOS12
4
LVDS
BLVDS
LVPECL
LVTTL
LVCMOS 3.3
LVCMOS 2.5
LVCMOS 1.8
LVCMOS 1.5
LVCMOS 1.2
PCI
0.44
0.44
0.42
0.01
0.01
0.00
0.07
0.14
0.40
0.01
0.53
0.53
0.50
0.01
0.01
0.00
0.08
0.17
0.48
0.01
0.61
0.61
0.59
0.01
0.01
0.00
0.10
0.19
0.56
0.01
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
Output Adjusters
LVDS25
LVDS25E
4
BLVDS25
LVPECL33
LVTTL33_4mA
LVTTL33_8mA
LVTTL33_12mA
LVTTL33_16mA
LVCMOS33_4mA
LVCMOS33_8mA
LVCMOS33_12mA
LVCMOS33_14mA
LVCMOS25_4mA
LVCMOS25_8mA
LVCMOS25_12mA
LVCMOS25_14mA
LVCMOS18_4mA
LVCMOS18_8mA
LVCMOS18_12mA
LVCMOS18_14mA
LVCMOS15_4mA
LVCMOS15_8mA
LVCMOS12_2mA
LVCMOS12_6mA
PCI33 4
LVDS 2.5 E
LVDS 2.5
BLVDS 2.5
LVPECL 3.3
LVTTL 4mA drive
LVTTL 8mA drive
LVTTL 12mA drive
LVTTL 16mA drive
LVCMOS 3.3 4mA drive
LVCMOS 3.3 8mA drive
LVCMOS 3.3 12mA drive
LVCMOS 3.3 14mA drive
LVCMOS 2.5 4mA drive
LVCMOS 2.5 8mA drive
LVCMOS 2.5 12mA drive
LVCMOS 2.5 14mA drive
LVCMOS 1.8 4mA drive
LVCMOS 1.8 8mA drive
LVCMOS 1.8 12mA drive
LVCMOS 1.8 14mA drive
LVCMOS 1.5 4mA drive
LVCMOS 1.5 8mA drive
LVCMOS 1.2 2mA drive
LVCMOS 1.2 6mA drive
PCI33
-0.13
-0.21
-0.03
0.04
0.04
0.06
-0.01
0.50
0.04
0.06
-0.01
0.50
0.05
0.10
0.00
0.34
0.11
0.05
-0.06
0.06
0.15
0.05
0.26
0.05
1.85
-0.15
-0.26
-0.03
0.04
0.04
0.07
-0.01
0.60
0.04
0.07
-0.01
0.60
0.06
0.12
0.00
0.40
0.13
0.06
-0.07
0.07
0.19
0.06
0.31
0.06
2.22
-0.18
-0.30
-0.04
0.05
0.05
0.08
-0.01
0.70
0.05
0.08
-0.01
0.70
0.07
0.13
0.00
0.47
0.15
0.06
-0.08
0.09
0.22
0.07
0.36
0.07
2.59
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
1. Timing adders are characterized but not tested on every device.
2. LVCMOS timing is measured with the load specified in Switching Test Conditions table.
3. All other standards tested according to the appropriate specifications.
4. I/O standard only available in LCMXO1200 and LCMXO2280 devices.
Rev. A 0.19
3-13
相关PDF资料
PDF描述
GEM24DRMS CONN EDGECARD 48POS .156 WW
GEM11DRKF CONN EDGECARD 22POS DIP .156 SLD
LCMXO640C-4T100C IC PLD 640LUTS 74I/O 100-TQFP
GCM08DRAS CONN EDGECARD 16POS R/A .156 SLD
TAP155K035DTS CAP TANT 1.5UF 35V 10% RADIAL
相关代理商/技术参数
参数描述
LCMXO640E-3T144C 功能描述:CPLD - 复杂可编程逻辑器件 640 LUTs 113 IO 1.2V -3 Spd RoHS:否 制造商:Lattice 系列: 存储类型:EEPROM 大电池数量:128 最大工作频率:333 MHz 延迟时间:2.7 ns 可编程输入/输出端数量:64 工作电源电压:3.3 V 最大工作温度:+ 90 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:TQFP-100
LCMXO640E-3T144I 功能描述:CPLD - 复杂可编程逻辑器件 640 LUTs 113 IO 1.2V -3 Spd I RoHS:否 制造商:Lattice 系列: 存储类型:EEPROM 大电池数量:128 最大工作频率:333 MHz 延迟时间:2.7 ns 可编程输入/输出端数量:64 工作电源电压:3.3 V 最大工作温度:+ 90 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:TQFP-100
LCMXO640E-3TN100C 功能描述:CPLD - 复杂可编程逻辑器件 640 LUTs 74 IO 1.2V -3 Spd RoHS:否 制造商:Lattice 系列: 存储类型:EEPROM 大电池数量:128 最大工作频率:333 MHz 延迟时间:2.7 ns 可编程输入/输出端数量:64 工作电源电压:3.3 V 最大工作温度:+ 90 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:TQFP-100
LCMXO640E-3TN100I 功能描述:CPLD - 复杂可编程逻辑器件 640 LUTs 74 IO 1.2V -3 Spd I RoHS:否 制造商:Lattice 系列: 存储类型:EEPROM 大电池数量:128 最大工作频率:333 MHz 延迟时间:2.7 ns 可编程输入/输出端数量:64 工作电源电压:3.3 V 最大工作温度:+ 90 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:TQFP-100
LCMXO640E-3TN144C 功能描述:CPLD - 复杂可编程逻辑器件 640 LUTs 113 IO 1.2V -3 Spd RoHS:否 制造商:Lattice 系列: 存储类型:EEPROM 大电池数量:128 最大工作频率:333 MHz 延迟时间:2.7 ns 可编程输入/输出端数量:64 工作电源电压:3.3 V 最大工作温度:+ 90 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:TQFP-100
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*