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参数资料
| 型号： | LCMXO640E-4FT256C |
| 厂商： | LATTICE SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | PLD |
| 中文描述： | FLASH PLD, 4.2 ns, PBGA256 |
| 封装： | 17 X 17 MM, FTBGA-256 |
| 文件页数： | 28/96页 |
| 文件大小： | 1389K |
| 代理商： | LCMXO640E-4FT256C |
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3-8
DC and Switching Characteristics
Lattice Semiconductor
MachXO Family Data Sheet
sysIO Differential Electrical Characteristics
LVDS
Over Recommended Operating Conditions
LVDS Emulation
MachXO devices can support LVDS outputs via emulation (LVDS25E), in addition to the LVDS support that is avail-
able on-chip on certain devices. The output is emulated using complementary LVCMOS outputs in conjunction with
resistors across the driver outputs on all devices. The scheme shown in Figure 3-1 is one possible solution for
LVDS standard implementation. Resistor values in Figure 3-1 are industry standard values for 1% resistors.
Figure 3-1. LVDS Using External Resistors (LVDS25E)
The LVDS differential input buffers are available on certain devices in the MachXO family.
Parameter
Symbol
Parameter Description
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Units
VINP, VINM
Input Voltage
0
—
2.4
V
VTHD
Differential Input Threshold
+/-100
—
mV
VCM
Input Common Mode Voltage
100mV
V
THD
VTHD/2
1.2
1.8
V
200mV
V
THD
VTHD/2
1.2
1.9
V
350mV
V
THD
VTHD/2
1.2
2.0
V
IIN
Input current
Power on
—
+/-10
A
VOH
Output high voltage for VOP or VOM RT = 100 Ohm
—
1.38
1.60
V
VOL
Output low voltage for VOP or VOM
RT = 100 Ohm
0.9V
1.03
—
V
VOD
Output voltage differential
(VOP - VOM), RT = 100 Ohm
250
350
450
mV
V
OD
Change in VOD between high and
low
——
50
mV
VOS
Output voltage offset
(VOP - VOM)/2, RT = 100 Ohm
1.125
1.25
1.375
V
OS
Change in VOS between H and L
—
50
mV
IOSD
Output short circuit current
VOD = 0V Driver outputs
shorted
——
6
mA
158
Zo = 100
140
100
On-chip
Off-chip
VCCIO = 2.5
8mA
Note: All resistors are ±1%.
VCCIO = 2.5
+
-
Emulated
LVDS
Buffer
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| LCMXO1200C-4B256I | |
| LCMXO1200E-4M132C | |
| LCMXO1200E-4FT256C | |
| LCMXO1200E-3T144I | |
| LCMXO2280E-3B256C | |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| LCMXO640E-4FT256I | 功能描述:CPLD - 复杂可编程逻辑器件 640 LUTs 159 IO 1.2V -4 Spd I RoHS:否 制造商:Lattice 系列: 存储类型:EEPROM 大电池数量:128 最大工作频率:333 MHz 延迟时间:2.7 ns 可编程输入/输出端数量:64 工作电源电压:3.3 V 最大工作温度:+ 90 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:TQFP-100 |
| LCMXO640E-4FTN256C | 功能描述:CPLD - 复杂可编程逻辑器件 640 LUTs 159 IO 1.2V -4 Spd RoHS:否 制造商:Lattice 系列: 存储类型:EEPROM 大电池数量:128 最大工作频率:333 MHz 延迟时间:2.7 ns 可编程输入/输出端数量:64 工作电源电压:3.3 V 最大工作温度:+ 90 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:TQFP-100 |
| LCMXO640E-4FTN256I | 功能描述:CPLD - 复杂可编程逻辑器件 640 LUTs 159 IO 1.2V -4 Spd I RoHS:否 制造商:Lattice 系列: 存储类型:EEPROM 大电池数量:128 最大工作频率:333 MHz 延迟时间:2.7 ns 可编程输入/输出端数量:64 工作电源电压:3.3 V 最大工作温度:+ 90 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:TQFP-100 |
| LCMXO640E-4M100C | 功能描述:CPLD - 复杂可编程逻辑器件 640 LUTs 74 IO 1.2V -4 Spd RoHS:否 制造商:Lattice 系列: 存储类型:EEPROM 大电池数量:128 最大工作频率:333 MHz 延迟时间:2.7 ns 可编程输入/输出端数量:64 工作电源电压:3.3 V 最大工作温度:+ 90 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:TQFP-100 |
| LCMXO640E-4M100I | 功能描述:CPLD - 复杂可编程逻辑器件 640 LUTs 74 IO 1.2V -4 Spd I RoHS:否 制造商:Lattice 系列: 存储类型:EEPROM 大电池数量:128 最大工作频率:333 MHz 延迟时间:2.7 ns 可编程输入/输出端数量:64 工作电源电压:3.3 V 最大工作温度:+ 90 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:TQFP-100 |
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