参数资料
型号: LD421650
厂商: Powerex Inc
文件页数: 3/5页
文件大小: 0K
描述: SCR MOD ISO DUAL 1600V 500A
其它有关文件: SCR Module Selection Guide
标准包装: 2
结构: 串联 - SCR/二极管
SCR 数目,二极管: 1 SCR,1 个二极管
电压 - 断路: 1600V
电流 - 栅极触发电流 (Igt)(最大): 200mA
电流 - 导通状态 (It (AV))(最大): 500A
电流 - 导通状态 (It (RMS))(最大): 785A
电流 - 非重复电涌,50、60Hz (Itsm): 16300A,17000A
安装类型: 底座安装
封装/外壳: POW-R-BLOK? 模块
包装: 散装
LD42__50
POW-R-BLOK
Powerex, Inc., Hillis Street, Youngwood, Pennsylvania 15697 (724) 925-7272
TM
Dual SCR/Diode Isolated Module
500 Amperes / Up to 1600 Volts
Electrical Characteristics, T J =25° C unless otherwise specified
Characteristics
Repetitive Peak Forward Leakage Current
Repetitive Peak Reverse Leakage Current
Peak On-State Voltage
Threshold Voltage, Low-level
Slope Resistance, Low-level
Threshold Voltage, High-level
Slope Resistance, High-level
V TM Coefficients, Full Range
Symbol
I DRM
I RRM
V TM /V FM
V (TO)1
r T1
V (TO)2
r T2
Test Conditions
Up to 1600V, T J =130°C
Up to 1600V, T J =130°C
I TM /I FM =1500A
T J = 130°C, I = 15%I T(AV) to π I T(AV)
T J = 130°C, I = π I T(AV) to I TSM
T J = 130°C, I = 10A to 6kA
Min.
A=
Max.
80
80
1.30
0.81
0.32
0.90
0.26
0.8824
Units
mA
mA
V
V
m ?
V
m ?
B=
-4.46E-02
V TM /V FM = A+ B Ln I +C I + D Sqrt I
C=
D=
8.12E-05
1.54E-02
Minimum dV/dt
dV/dt
Exponential to V DRM
1000 Typ.
V/μs
T j =130°C, Gate Open
Gate Trigger Current
Gate Trigger Voltage
Non-Triggering Gate Voltage
Peak Forward Gate Current
Peak Reverse Gate Voltage
I GT
V GT
V GDM
I GTM
V GRM
T j =25°C, V D =12V
T j =25°C, V D =12V
T j =130°C, V D = ? V DRM
200
3.0
0.25
4.0
5
mA
Volts
Volts
Amp
Volts
Thermal Characteristics
Characteristics
Symbol
Max.
Units
Thermal Resistance, Junction to Case
R Θ J-C
Per Module, both conducting
Per Junction, both conducting
0.0325
0.0650
°C/W
°C/W
Thermal Impedance Coefficients
Z Θ J-C
Z Θ J-C = K 1 (1-exp(-t/ τ 1 ))
+ K 2 (1-exp(-t/ τ 2 ))
+ K 3 (1-exp(-t/ τ 3 ))
K 1 = 8.03E-04
K 2 = 1.03E-02
K 3 = 1.64E-02
τ 1 = 3.39E-04
τ 2 = 3.15E-03
τ 3 = 0.106
Thermal Resistance, Case to Sink Lubricated
R Θ C-S
+ K 4 (1-exp(-t/ τ 4 ))
Per Module
K 4 = 3.75E-02
τ 4 = 2.066
0.01
°C/W
Revision Date: 12/04/2002
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