参数资料
型号: LF353N
厂商: Fairchild Semiconductor
文件页数: 3/6页
文件大小: 0K
描述: IC OPAMP JFET DUAL HS 8-DIP
标准包装: 50
放大器类型: J-FET
电路数: 2
转换速率: 13 V/µs
增益带宽积: 4MHz
电流 - 输入偏压: 50pA
电压 - 输入偏移: 5000µV
电流 - 电源: 3.6mA
工作温度: 0°C ~ 70°C
安装类型: 通孔
封装/外壳: 8-DIP(0.300",7.62mm)
供应商设备封装: 8-DIP
包装: 管件
产品目录页面: 1221 (CN2011-ZH PDF)
其它名称: LF353NFS
LF353
3
Electrical Characteristics
(VCC =+15V, VEE= -15V, TA=25
°C, unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
Input Offset Voltage
VIO
RS=10K
-5.0
10
mV
0
°C≤TA≤+70 °C-
-
Input Offset Voltage Drift
VIO/T RS=10K 0 °C≤TA≤+70 °C-
10
-
V/ °C
Input Offset Current
IIO
-
25
100
pA
0
°C≤TA≤+70 °C-
-
4
nA
Input Bias Current
IBIAS
-
50
200
pA
0
°C≤TA≤+70 °C-
-
8
nA
Input Resistance
RI
-
-1012
-
Large Signal Voltage Gain
GV
VO(P-P) =
±10V
25
100
-
V/mV
RL = 2K
0
°C≤TA≤+70 °C15
-
Output Voltage Swing
VO(P_P) RL = 10K
±12
±13.5
-
V
Input Voltage Range
VI(R)
-
±11
±15/-12
-
V
Common Mode Rejection Ratio
CMRR
RS
≤ 10K
70
100
-
dB
Power Supply Rejection Ratio
PSRR
RS
≤ 10K
70
100
-
dB
Power Supply Current
ICC
--
3.6
6.5
mA
Slew Rate
SR
GV = 1
-
13
-
V/
S
Gain-Bandwidth Product
GBW
-
-4
-
MHz
Channel Seperation
CS
f = 1Hz ~ 20KHz
(Input referenced)
-
120
-
dB
Equivalent Input Noise Voltage
VNI
RS = 100
f = 1KHz
-16
-
nV/
Equivalent Input Noise Current
INI
f = 1KHz
-
0.01
-
pA/
Hz
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