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参数资料
| 型号： | LFEC6E-3TN144C |
| 厂商： | Lattice Semiconductor Corporation |
| 文件页数： | 68/163页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC FPGA 6.1KLUTS 144TQFP |
| 标准包装： | 60 |
| 系列： | EC |
| 逻辑元件/单元数： | 6100 |
| RAM 位总计： | 94208 |
| 输入/输出数： | 97 |
| 电源电压： | 1.14 V ~ 1.26 V |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 工作温度： | 0°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 144-LQFP |
| 供应商设备封装： | 144-TQFP（20x20） |
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2-13
Architecture
LatticeECP/EC Family Data Sheet
Memory Cascading
Larger and deeper blocks of RAM can be created using EBR sysMEM Blocks. Typically, the Lattice design tools
cascade memory transparently, based on specific design inputs.
Single, Dual and Pseudo-Dual Port Modes
Figure 2-15 shows the four basic memory configurations and their input/output names. In all the sysMEM RAM
modes the input data and address for the ports are registered at the input of the memory array. The output data of
the memory is optionally registered at the output.
Figure 2-15. sysMEM EBR Primitives
The EBR memory supports three forms of write behavior for single port or dual port operation:
1.
Normal – data on the output appears only during read cycle. During a write cycle, the data (at the current
address) does not appear on the output. This mode is supported for all data widths.
2.
Write Through – a copy of the input data appears at the output of the same port during a write cycle. This
mode is supported for all data widths.
3.
Read-Before-Write – when new data is being written, the old content of the address appears at the output.
This mode is supported for x9, x18 and x36 data widths.
Memory Core Reset
The memory array in the EBR utilizes latches at the A and B output ports. These latches can be reset asynchro-
nously or synchronously. RSTA and RSTB are local signals, which reset the output latches associated with Port A
and Port B, respectively. The Global Reset (GSRN) signal resets both ports. The output data latches and associ-
ated resets for both ports are as shown in Figure 2-16.
EBR
AD[12:0]
DI[35:0]
CLK
CE
RST
WE
CS[2:0]
DO[35:0]
Single Port RAM
EBR
True Dual Port RAM
Pseudo-Dual Port RAM
ROM
AD[12:0]
CLK
CE
DO[35:0]
RST
CS[2:0]
EBR
ADA[12:0]
DIA[17:0]
CLKA
CEA
RSTA
WEA
CSA[2:0]
DOA[17:0]
ADB[12:0]
DIB[17:0]
CLKB
CEB
RSTB
WEB
CSB[2:0]
DOB[17:0]
ADW[12:0]
DI[35:0]
CLKW
CEW
ADR[12:0]
DO[35:0]
CER
CLKR
WE
RST
CS[2:0]
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| LFXP3E-5T144C | IC FPGA 3.1KLUTS 100I/O 144-TQFP |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| LFEC6E-3TN144I | 功能描述:FPGA - 现场可编程门阵列 6.1 LUT 97 I/O RoHS:否 制造商:Altera Corporation 系列:Cyclone V E 栅极数量: 逻辑块数量:943 内嵌式块RAM - EBR:1956 kbit 输入/输出端数量:128 最大工作频率:800 MHz 工作电源电压:1.1 V 最大工作温度:+ 70 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:FBGA-256 |
| LFEC6E-4F256C | 功能描述:FPGA - 现场可编程门阵列 6.1 LUT 195 I/O RoHS:否 制造商:Altera Corporation 系列:Cyclone V E 栅极数量: 逻辑块数量:943 内嵌式块RAM - EBR:1956 kbit 输入/输出端数量:128 最大工作频率:800 MHz 工作电源电压:1.1 V 最大工作温度:+ 70 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:FBGA-256 |
| LFEC6E-4F256I | 功能描述:FPGA - 现场可编程门阵列 6.1 LUT 195 I/O RoHS:否 制造商:Altera Corporation 系列:Cyclone V E 栅极数量: 逻辑块数量:943 内嵌式块RAM - EBR:1956 kbit 输入/输出端数量:128 最大工作频率:800 MHz 工作电源电压:1.1 V 最大工作温度:+ 70 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:FBGA-256 |
| LFEC6E-4F484C | 功能描述:FPGA - 现场可编程门阵列 6.1 LUT 224 I/O RoHS:否 制造商:Altera Corporation 系列:Cyclone V E 栅极数量: 逻辑块数量:943 内嵌式块RAM - EBR:1956 kbit 输入/输出端数量:128 最大工作频率:800 MHz 工作电源电压:1.1 V 最大工作温度:+ 70 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:FBGA-256 |
| LFEC6E-4F484I | 功能描述:FPGA - 现场可编程门阵列 6.1 LUT 224 I/O RoHS:否 制造商:Altera Corporation 系列:Cyclone V E 栅极数量: 逻辑块数量:943 内嵌式块RAM - EBR:1956 kbit 输入/输出端数量:128 最大工作频率:800 MHz 工作电源电压:1.1 V 最大工作温度:+ 70 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:FBGA-256 |
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