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参数资料
型号： LFEC6E-5FN256C
厂商： Lattice Semiconductor Corporation
文件页数： 101/163页
文件大小： 0K
描述： IC FPGA 6.1KLUTS 256FPBGA
标准包装： 90
系列： EC
逻辑元件/单元数： 6100
RAM 位总计： 94208
输入/输出数： 195
电源电压： 1.14 V ~ 1.26 V
安装类型： 表面贴装
工作温度： 0°C ~ 85°C
封装/外壳： 256-BGA
供应商设备封装： 256-FPBGA（17x17）
3-6
DC and Switching Characteristics
LatticeECP/EC Family Data Sheet
sysI/O Single-Ended DC Electrical Characteristics
Input/Output
Standard
VIL
VIH
VOL Max.
(V)
VOH Min.
(V)
IOL
1
(mA)
IOH
1
(mA)
Min. (V)
Max. (V)
Min. (V)
Max. (V)
LVCMOS 3.3
-0.3
0.8
2.0
3.6
0.4
VCCIO - 0.4
20, 16, 12,
8, 4
-20, -16, -12,
-8, -4
0.2
VCCIO - 0.2
0.1
-0.1
LVTTL
-0.3
0.8
2.0
3.6
0.4
VCCIO - 0.4
20, 16, 12,
8, 4
-20, -16, -12,
-8, -4
0.2
VCCIO - 0.2
0.1
-0.1
LVCMOS 2.5
-0.3
0.7
1.7
3.6
0.4
VCCIO - 0.4
20, 16, 12,
8, 4
-20, -16, -12,
-8, -4
0.2
VCCIO - 0.2
0.1
-0.1
LVCMOS 1.8
-0.3
0.35VCCIO
0.65VCCIO
3.6
0.4
VCCIO - 0.4
16, 12, 8, 4
-16, -12, -8, -4
0.2
VCCIO - 0.2
0.1
-0.1
LVCMOS 1.5
-0.3
0.35VCCIO
0.65VCCIO
3.6
0.4
VCCIO - 0.4
8, 4
-8, -4
0.2
VCCIO - 0.2
0.1
-0.1
LVCMOS 1.2
-0.3
0.35VCC
0.65VCC
3.6
0.4
VCCIO - 0.4
6, 2
-6, -2
0.2
VCCIO - 0.2
0.1
-0.1
PCI
-0.3
0.3VCCIO
0.5VCCIO
3.6
0.1VCCIO
0.9VCCIO
1.5
-0.5
SSTL3 class I
-0.3
VREF - 0.2
VREF + 0.2
3.6
0.7
VCCIO - 1.1
8
-8
SSTL3 class II
-0.3
VREF - 0.2
VREF + 0.2
3.6
0.5
VCCIO - 0.9
16
-16
SSTL2 class I
-0.3
VREF - 0.18 VREF + 0.18
3.6
0.54
VCCIO - 0.62
7.6
-7.6
SSTL2 class II
-0.3
VREF - 0.18 VREF + 0.18
3.6
0.35
VCCIO - 0.43
15.2
-15.2
SSTL18 class I
-0.3
VREF - 0.125 VREF + 0.125
3.6
0.4
VCCIO - 0.4
6.7
-6.7
HSTL15 class I
-0.3
VREF - 0.1
VREF + 0.1
3.6
0.4
VCCIO - 0.4
8
-8
HSTL15 class III
-0.3
VREF - 0.1
VREF + 0.1
3.6
0.4
VCCIO - 0.4
24
-8
HSTL18 class I
-0.3
VREF - 0.1
VREF + 0.1
3.6
0.4
VCCIO - 0.4
9.6
-9.6
HSTL18 class II
-0.3
VREF - 0.1
VREF + 0.1
3.6
0.4
VCCIO - 0.4
16
-16
HSTL18 class III
-0.3
VREF - 0.1
VREF + 0.1
3.6
0.4
VCCIO - 0.4
24
-8
1. The average DC current drawn by I/Os between GND connections, or between the last GND in an I/O bank and the end of an I/O bank, as
shown in the logic signal connections table shall not exceed n * 8mA. Where n is the number of I/Os between bank GND connections or
between the last GND in a bank and the end of a bank.
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