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参数资料
| 型号： | LKK47-06C5 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 4/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET DUAL 600V 47A ISOPLUS264 |
| 标准包装： | 24 |
| 系列： | CoolMOS™ |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 600V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 47A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 45 毫欧 @ 44A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3.9V @ 3mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 190nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 6800pF @ 100V |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | ISOPLUS264? |
| 供应商设备封装： | ISOPLUS264? |
| 包装： | 管件 |
Advanced Technical Information
LKK 47-06C5
0.16
0.12
320
T JV = 150°C
V DS = 5 V
5.5 V
I D = 44 A
V GS = 10 V
280
V DS > 2 · R DS(on) max · I D
25 °C
6V
6.5 V
0.1
0.12
7V
240
0.08
200
20 V
0.08
0.06
98 %
160
150 °C
0.04
0.04
typ
120
80
T J =
0.02
40
0
0
0
0
20
40
60
80
100
-60
-20
20
60
100
140
180
0
2
4
6
8
10
I D [A]
Fig. 3 Typ. drain-source on-state
resistance
T j [°C]
Fig. 4 Drain-source on-state
resistance
V GS [V]
Fig. 5 Typ. transfer characteristics
10
3
12
10
5
I D = 11 A pulsed
V GS = 0 V
f = 1 MHz
10
10
4
Ciss
V DS = 50 V
10
2
T J = 150 °C
25 °C
150 °C, 98%
8
1 20 V
40 0V
10
3
Coss
6
25 °C, 98%
10
2
10
1
4
2
10
1
Crss
10
0
0
10
0
0
0.5
1
1.5
2
0
50
100
150
0
50
100
150
200
V SD [V]
Fig. 6 Forward characteristic
of reverse diode
Q gate [nC]
Fig. 7 Typ. gate charge
V DS [V]
Fig. 8 Typ. capacitances
2000
1500
I D = 11 A
700
660
I D = 0.25 mA
10
0
0.5
10
-1
0.2
D = t p /T
1000
500
620
580
10
-2
0.1
0.05
0.02
0.01
single pulse
0
540
10
-3
20
60
100
140
180
-60
-20
20
60
100
140
180
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
T j [°C]
Fig. 9 Avalanche energy
T j [°C]
Fig. 10 Drain-source break-
t p [s]
down voltage
20090209b
? 2009 IXYS All rights reserved
4-4
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参数描述 |
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| LKK688003A | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:DOOR |
| LKK688004A | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:DOOR |
| LKK688006A | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:DOOR |
| LKK688019A | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:LID |
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