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参数资料
| 型号： | LLSD101B |
| 厂商： | MICRO COMMERCIAL COMPONENTS |
| 元件分类： | 参考电压二极管 |
| 英文描述： | Schottky Barrier Switching Diode |
| 中文描述： | 0.015 A, 50 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
| 封装： | GLASS, MINIMELF-2 |
| 文件页数： | 1/3页 |
| 文件大小： | 585K |
| 代理商： | LLSD101B |
Features
l Low Reverse Recovery Time
l Low Reverse Capacitance
l Low Forward Voltage Drop
l Guard Ring Construction for Transient Protection
Mechanical Data
l Case: MiniMELF, Glass
l Terminals: Solderable per MIL -STD-202, Method 208
l Polarity: Indicated by Cathode Band
l Weight: 0.05 grams ( approx.)
Maximum Ratings @ 25oC Unless Otherwise Specified
Characteristic
Symbol LLSD101A LLSD101B LLSD101C
Peak Repetitive Reverse Voltage
Working Peak Reverse Voltage
DC Blocking Voltage
VRRM
VRWM
VR
60V
50V
40V
RMS Reverse Voltage
VR(RMS)
42V
35V
28V
Forward Continuous Current(Note 1)
IFM
15mA
Non-Repetitive Peak @ t<=1.0s
Forward Surge Current @ t=10us
IFSM
50mA
2.0A
Power Dissipation(Note 1)
Pd
400mW
Thermal Resistance(Note 1)
R
375K/W
Operation & Storage Temp. Range
Tj, TSTG
-55 to 150
oC
Electrical Characteristics @ 25oC Unless Otherwise Specified
Charateristic
Symbol
Min
Max
Unit
Test Cond.
Peak
LLSD101A
VR=50V
Reverse
LLSD101B
IRM
-----
200
nA VR =40V
Current
LLSD101C
VR =30V
LLSD101A
0.41
I F=1.0mA
LLSD101B
0.40
I F=1.0mA
Forward
LLSD101C
VFM
-----
0.39
V
I F=1.0mA
Volt. Drop LLSD101A
1.00
I F=15mA
LLSD101B
0.95
I F=15mA
LLSD101C
0.90
I F=15mA
Junction
LLSD101A
2.0
Capacitance LLSD101B
Cj
-----
2.1
pF VR =0V, f=1.0MHz
LLSD101C
2.2
Reverse Recovery Time
trr
-----
1.0
ns
I F=IR =5mA,
recover to 0.1 I R
Note: 1. Valid provided that electrodes are kept at ambient temperature
LLSD101A
THRU
LLSD101C
Schottky Barrier
Switching Diode
DIMENSION
INCHES
MM
DIM
MIN
MAX
MIN
MAX
NOTE
A
.134
.142
3.40
3.60
B
.008
.016
.20
.40
C
.055
.059
1.40
1.50
MINIMELF
A
B
C
Cathode Mark
0.030”
0.105
0.075”
SUGGESTED SOLDER
PAD LAYOUT
omponents
20736 Marilla Street Chatsworth
!"#
$% !"#
MCC
Revision: 4
2006/05/21
TM
Micro Commercial Components
www.mccsemi.com
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| LLSD101C | Schottky Barrier Switching Diode |
| LLSD101 | Schottky Barrier Switching Diode |
| LLSD103A | Schottky Barrier Switching Diode |
| LLSD103B | Schottky Barrier Switching Diode |
| LLSD103C | Schottky Barrier Switching Diode |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| LLSD101B-13 | 功能描述:肖特基二极管与整流器 SCHOTTKY DIODE RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| LLSD101B7 | 制造商:Diodes Incorporated 功能描述: |
| LLSD101B-7 | 功能描述:肖特基二极管与整流器 SCHOTTKY DIODE RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| LLSD101B-TP | 功能描述:DIODE SCHOTTKY 400MW 50V MMELF RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 单二极管/整流器 系列:- 标准包装:100 系列:- 二极管类型:标准 电压 - (Vr)（最大）:50V 电流 - 平均整流 (Io):6A 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）:1.4V @ 6A 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 反向恢复时间(trr):300ns 电流 - 在 Vr 时反向漏电:15µA @ 50V 电容@ Vr, F:- 安装类型:底座，接线柱安装 封装/外壳:DO-203AA，DO-4，接线柱 供应商设备封装:DO-203AA 包装:散装 其它名称:*1N3879 |
| LLSD101C | 制造商:CHENYI 制造商全称:Shanghai Lunsure Electronic Tech 功能描述:schottky barrier switching diode |
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